详细描述:JFET N 通道 35 V 625 mW 通孔 TO-92-3
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| FET 类型 |
N 通道 |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) |
500 mV @ 1 µA |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) |
2 mA @ 15 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) |
- |
| 供应商器件封装 |
TO-92-3 |
| 制造商 |
onsemi |
| 功率 - 最大值 |
625 mW |
| 包装 |
散装 |
| 基本产品编号 |
J113 |
| 安装类型 |
通孔 |
| 封装、外壳 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
| 工作温度 |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) |
35 V |
| 电阻 - RDS(On) |
100 Ohms |
| 系列 |
- |
| 零件状态 |
在售 |
PDF描述:N-channel silicon field-effect transistors N-沟道硅音响场效晶体管