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IS25LP512M-JLLE
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IS25LP512M-JLLE

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

品牌:

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

型号:

IS25LP512M-JLLE

编号:

D3976077

包装:

管件

批号:

-

封装:

-

描述:

IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON

数据手册
  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb SPI - 四 I/O，QPI，DTR 133 MHz 8-WSON（8x6）


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 未验证
供应商器件封装 8-WSON（8x6）
写周期时间 - 字，页 1.6ms
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
包装 管件
基本产品编号 IS25LP512
存储器接口 SPI - 四 I、O，QPI，DTR
存储器格式 闪存
存储器类型 非易失
存储器组织 64M x 8
存储容量 512Mb
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 8-WDFN 祼焊盘
工作温度 -40°C ~ 105°C（TA）
技术 FLASH - NOR
时钟频率 133 MHz
电压 - 供电 2.3V ~ 3.6V
系列 -
零件状态 在售

PDF描述： FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb SPI - 四 I/O，QPI，DTR 133 MHz 8-WSON（8x6）

产品概述

IS25LP512M-JLLE 产品概述

一、产品简介

IS25LP512M-JLLE 是 ISSI（美国芯成）推出的一款 512Mbit NOR Flash 存储器，器件组织为 64M x 8，采用 SPI 接口并支持高速四线 I/O、QPI 和 DTR 模式，最高工作时钟频率可达 133MHz。器件工作电压范围宽（2.3V ～ 3.6V），适合多种嵌入式系统与消费电子产品的代码存储与数据保留需求。

二、主要特性

  • 存储容量：512 Mbit（64M x 8）
  • 接口与模式：SPI，支持 Quad I/O、QPI、DTR（双倍速传输）
  • 最高时钟频率：133 MHz
  • 电源范围：2.3V ~ 3.6V，适配 3.3V 系统设计
  • 数据可靠性：数据保持（TDR）20 年
  • 擦写耐久性：100,000 次擦写周期
  • 写入性能：页写入时间 Tpp = 300 μs
  • 低功耗待机：待机电流 21 μA
  • 完备的写保护与电源保护：硬件写保护、写使能锁存、软件写保护、上电复位与电源锁定保护

三、关键参数一览

  • 容量/组织：512Mbit / 64M x 8
  • 接口：SPI（兼容标准 SPI 指令集），支持 Quad I/O/QPI/DTR 模式以提高带宽
  • 最高时钟：133 MHz（DTR/QPI 下支持更高有效数据率）
  • 工作电压：2.3 ～ 3.6 V
  • 待机电流：21 μA
  • 擦写寿命：100k 次
  • 数据保留：20 年
  • 页写入时间：300 μs

四、封装与可靠性

  • 封装类型：WSON-8-EP，尺寸 6 x 8 mm（紧凑型封装，利于高密度 PCB 布局）
  • 品牌：ISSI（美国芯成），适配工业级与消费级产品的长期供货与质量管理
  • 可靠性特性涵盖硬件/软件写保护与上电/电源锁定保护，降低误写与电源异常导致的数据风险

五、典型应用与设计建议

  • 典型应用：嵌入式固件存储、引导闪存（Boot ROM）、物联网终端固件升级、消费电子和工业控制器配置存储、网络设备固件与参数保存
  • 设计要点：建议在 PCB 布局时为 WSON-8-EP 留出良好散热与地平面；在系统电源管理上配合器件的上电复位与电源锁定保护，确保写操作在稳定电源下进行；使用硬件写保护与软件写保护组合以提高数据安全性。
  • 性能优化：在需要高吞吐的读写场景下启用 Quad I/O 或 QPI + DTR 模式，并使用接近 133 MHz 的时钟以获得最佳带宽表现。

IS25LP512M-JLLE 以其高密度、低功耗与多模式高速 SPI 接口，结合完整的写保护与电源安全特性，是对可靠性与性能有较高要求系统的理想 NOR Flash 选型。

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