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NAND256W3A2BZA6E
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NAND256W3A2BZA6E

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Micron Technology Inc.

品牌:

Micron Technology Inc.

型号:

NAND256W3A2BZA6E

编号:

D3989556

包装:

剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

IC FLASH 256MBIT PAR 55VFBGA

数据手册
  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述：闪存 - NAND 存储器 IC 256Mb 并联 50 ns 55-VFBGA（8x10）


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 未验证
供应商器件封装 55-VFBGA（8x10）
写周期时间 - 字，页 50ns
制造商 Micron Technology Inc.
包装 托盘
基本产品编号 NAND256
存储器接口 并联
存储器格式 闪存
存储器类型 非易失
存储器组织 32M x 8
存储容量 256Mb
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 55-TFBGA
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
技术 闪存 - NAND
电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V
系列 -
访问时间 50 ns
零件状态 停产

PDF描述： 闪存 - NAND 存储器 IC 256Mb 并联 50 ns 55-VFBGA（8x10）

产品概述

NAND256W3A2BZA6E 产品概述

一、产品简介

Micron NAND256W3A2BZA6E 是一款已停产的并联（并行）NAND闪存器件，存储容量为256Mbit（32M x 8），属非易失性存储器，采用NAND技术。器件以55-ball TFBGA（供应商封装标注为55-VFBGA，8x10）表面贴装封装形式提供，基础产品编号为 NAND256-A。该器件面向需要并行数据总线访问的嵌入式系统与工业应用。

二、主要电气与时序参数

  • 存储容量：256Mbit（32M x 8）
  • 存储器类型：NAND 闪存（非易失）
  • 接口类型：并联（并行数据总线）
  • 工作电压：2.7V ~ 3.6V（典型3.3V系统兼容）
  • 访问/写周期时间：字/页写周期与访问时间约为50ns（具体时序请参照原厂数据手册）
  • 工作温度范围：-40°C ~ +85°C（TA，工业级）

三、封装与机械特性

器件采用55-TFBGA 封装（供应商标注 55-VFBGA，8x10），为表面贴装设计。BGA封装在PCB布局时需考虑球脚位置、焊盘尺寸、回流焊温度曲线和散热通路。由于器件已停产，在替换或重新设计时应注意封装兼容性。

四、典型应用场景

该并行NAND器件适用于以下领域：

  • 工业控制器与嵌入式设备的固件与代码存储
  • 引导闪存与系统启动加载存储
  • 需要并行访问快速读取的嵌入式数据存储 由于工作温度范围覆盖工业级，适合工业与严苛环境应用，但关于擦写寿命、数据保持时间等耐久性指标，请以Micron原厂资料为准。

五、设计与选型注意事项

  • EOL（停产）提示：器件已停产，建议尽早备货或寻找替代零件。可向Micron授权分销商咨询最后采购（LTB）与替代型号建议。
  • 时序匹配：并行总线系统在设计时需匹配器件的访问时序与控制信号，50ns的访问/写周期为设计参考。
  • 电源与容差：工作电压3.3V范围（2.7V~3.6V），在电源管理与上电/断电序列上应遵循器件规格手册以避免数据损坏。
  • PCB与封装工艺：BGA焊接需要合适的回流曲线与焊盘设计，建议遵循Micron封装指南并在生产中实施X射线或其他质量检测。
  • 可靠性参数：关于擦写周期、坏块管理、数据保持等关键可靠性指标，请参考原厂数据手册与应用说明，以便在系统级实现适当的磨损均衡与错误校正（ECC）策略。

如需器件详细数据手册、封装图或兼容替代件名单，建议联系Micron或其授权分销渠道获取最新技术文件与停产替代方案。

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