详细描述:SRAM - 双端口,MoBL 存储器 IC 64Kb 并联 55 ns 100-VFBGA(6x6)
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| DigiKey 可编程 |
未验证 |
| 供应商器件封装 |
100-VFBGA(6x6) |
| 写周期时间 - 字,页 |
55ns |
| 制造商 |
Infineon Technologies |
| 包装 |
托盘 |
| 基本产品编号 |
CYDM |
| 存储器接口 |
并联 |
| 存储器格式 |
SRAM |
| 存储器类型 |
易失 |
| 存储器组织 |
4K x 16 |
| 存储容量 |
64Kb |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装、外壳 |
100-VFBGA |
| 工作温度 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
| 技术 |
SRAM - 双端口,MoBL |
| 电压 - 供电 |
1.7V ~ 1.9V,2.4V ~ 2.6V,2.7V ~ 3.3V |
| 系列 |
MOBL™ |
| 访问时间 |
55 ns |
| 零件状态 |
停产 |
PDF描述: SRAM - 双端口,MoBL 存储器 IC 64Kb 并联 55 ns 100-VFBGA(6x6)