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MB85RC16PNF-G-JNERE1

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RAMXEED

品牌:

RAMXEED

型号:

MB85RC16PNF-G-JNERE1

编号:

D4002430

包装:

管件

批号:

-

封装:

-

描述:

IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOP

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 16Kb I2C 1 MHz 550 ns 8-SOP


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 未验证
供应商器件封装 8-SOP
写周期时间 - 字,页 -
制造商 RAMXEED
包装 卷带(TR)
基本产品编号 MB85RC16
存储器接口 I2C
存储器格式 FRAM
存储器类型 非易失
存储器组织 2K x 8
存储容量 16Kb
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
技术 FRAM(铁电体 RAM)
时钟频率 1 MHz
电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V
系列 -
访问时间 550 ns
零件状态 停产

PDF描述:Memory FRAM 16 K (2 K x 8) Bit I2C FRAM内存16 K( 2 k ×8 )位I2C

产品概述

产品概述:MB85RC16PNF-G-JNERE1

一、产品简介

MB85RC16PNF-G-JNERE1 是富士通(Fujitsu)推出的一款高性能非易失性存储器,隶属于其铁电体 RAM(FRAM)系列。该产品采用表面贴装型设计,具有16Kb(2K x 8)的存储容量,接口类型为 I²C,适合多种嵌入式应用场景。在多种严苛的工作环境下,该产品能够兼顾高可靠性与稳定性,确保数据不丢失,备受广大工程师的青睐。

二、技术规格

  1. 存储容量:16Kb(2K x 8),适合保存小到中等规模的数据,例如配置参数、校准数据等。
  2. 工作温度范围:-40°C 至 85°C,可在极端的环境条件下可靠工作。
  3. 技术类型:FRAM(铁电体 RAM),具有快速写入和读取速度,兼具断电数据保留能力的优越特性。
  4. 接口类型:I²C,简化了设备之间的通信,支持多点接入,非常适合连网与多设备体系结构。
  5. 访问时间:550ns,确保快速数据访问,适合对速度要求较高的应用。
  6. 时钟频率:1MHz,为数据传输提供了稳定且灵活的频率。
  7. 供电电压:2.7V 至 3.6V,适应市面上大多数电子产品的供电需求。
  8. 封装形式:8-SOP,体积小巧,便于在空间有限的电路板上进行集成。

三、核心特点

  1. 非易失性:FRAM 具有非易失性存储的优点,允许在断电情况下数据仍然可以保持,适合需要长时间保存数据的应用.
  2. 高耐久性:FRAM 存储器相较于其他类型存储器(如闪存),在写入和擦除次数上具有惊人的耐久性,甚至可达到 10^10 次擦写,延长了其使用寿命。
  3. 低功耗:相对于 DRAM 和 SRAM,FRAM 在读写时功耗显著较低,这使得 MB85RC16PNF-G-JNERE1 非常适合用于电池供电的设备。
  4. 快速访问:凭借 550ns 的访问时间,MB85RC16PNF-G-JNERE1 能够处理高频数据访问,特别适合传感器数据采集和监控系统。

四、应用领域

MB85RC16PNF-G-JNERE1 是一款非常灵活的存储解决方案,适用于以下几个主要应用领域:

  • 消费电子:适用于智能家居、可穿戴设备等消费类产品的数据存储。
  • 工业设备:广泛应用于工业自动化设备的数据记录、配置保持等功能。
  • 医疗设备:在医疗器械中,FRAM 优异的耐久性和非易失性可确保患者数据的可靠存储。
  • 汽车电子:对汽车电子产品的稳定性和数据完整性有着高要求,此款 FRAM 存储器能够完美满足这些需求。

五、总结

MB85RC16PNF-G-JNERE1 存储器结合了先进的 FRAM 技术以及丰富的接口特性,是各类电子设备中一种理想的非易失性存储解决方案。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子等多个领域,它都能提供可靠的数据存储、快速访问和长久的耐用性。通过采用 MB85RC16PNF-G-JNERE1,设计师可以有效提高产品的性能,提升用户体验。

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