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SM05T1
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SM05T1

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onsemi

品牌:

onsemi

型号:

SM05T1

编号:

D1412555

包装:

散装

批号:

-

封装:

-

描述:

TVS DIODE 5VWM 9.8VC SOT233

数据手册
  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

详细描述：9.8V 夹子 17A（8/20µs） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）


产品参数

产品属性 属性值
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） 9.8V
不同频率时电容 -
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
制造商 onsemi
功率 - 峰值脉冲 300W
包装 卷带（TR），剪切带（CT）
单向通道 2
基本产品编号 SM05
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
应用 通用
电压 - 击穿（最小值） 6.2V
电压 - 反向断态（典型值） 5V
电流 - 峰值脉冲 (10、1000µs) 17A（8、20µs）
电源线路保护 无
类型 齐纳
系列 -
零件状态 停产

PDF描述：Transient Voltage Suppressor Diode Array 瞬态电压抑制二极管阵列

SM05T1G 产品概述

一、产品简介

SM05T1G 是友台半导体（UMW）推出的一款双路薄型瞬态电压抑制器（TVS），封装为 SOT-23，专为 5V 工作系统的瞬态浪涌与静电放电防护设计。器件在标称反向耐压 Vrwm 为 5V 时，击穿电压（Vbr）约为 7.3V，钳位电压为 9.8V，可在瞬态事件下有效限制电压峰值，保护下游敏感电路。

二、主要电气参数

  • 反向截止电压 Vrwm：5V
  • 击穿电压 Vbr：7.3V（典型）
  • 钳位电压 Vc：9.8V（在 8/20μs 波形下）
  • 峰值脉冲电流 Ipp：17A @ 8/20μs
  • 峰值脉冲功率 Ppp：300W @ 8/20μs
  • 反向漏电流 Ir：10μA（典型）
  • 结电容 Cj：225pF（每通道，典型）
  • 通道数：双路（两通道独立）
  • 类型：TVS（瞬态抑制二极管）
  • 封装：SOT-23

三、防护与可靠性标准

本器件满足工业级瞬态与静电放电防护要求，能够对应以下测试规范的保护需求：

  • IEC 61000-4-2（ESD 静电放电）
  • IEC 61000-4-4（EFT/脉冲群干扰）
  • IEC 61000-4-5（浪涌/雷击脉冲）

四、典型应用场景

  • USB、串口、GPIO、控制信号线的过压/ESD 保护（5V 系统）
  • 工业控制器、嵌入式主板的输入输出端口保护
  • 电源线上临时浪涌抑制与器件级保护
  • 通讯接口和消费电子产品的可靠性增强

五、设计与选型建议

  1. 若用于高速数据线，应注意 225pF 的结电容可能影响信号完整性；对差分或高速接口（如 USB 2.0、PCIe 等）如需低电容保护，应选择低 Cj 型号。
  2. 钳位电压 9.8V 在短时浪涌下对被保护器件提供有效限制，但应核对下游器件承受能力及安全余量。
  3. 峰值 Ipp 与 Ppp 指标适用于 8/20μs 能量波形的比较与选型，实际系统中请考虑并联、热管理与 PCB 接地设计以保证可靠性。
  4. 推荐布板要点：保护器件到地的回流路径尽量短且粗，接地面应连续；靠近被保护端口放置以降低寄生感抗和延迟。

六、封装与焊接注意

SOT-23 小体积封装便于空间受限设备应用，采用常规回流焊工艺即可。焊接时注意避免过热、遵循器件的最大回流温度与时间曲线；安装后建议在一次完整系统测试中验证 ESD 与浪涌响应性能。

总结：SM05T1G 在 5V 应用中提供了兼顾耐能量与体积的双路 TVS 保护方案，适合对一般 I/O 与电源端口进行可靠的瞬态抑制。对高速信号或更高能量需求，请依据上述参数与系统要求进行进一步比选与验证。

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