产品描述：HIGH SPEED INFRARED EMITTING DIO
详细描述：红外（IR） 发射器 940nm 1.35V 100mA 7mW/sr @ 100mA 120° 2-SMD，J 形引线
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| 不同 If 时最小辐射强度 (Ie) |
7mW、sr @ 100mA |
| 制造商 |
Vishay Semiconductor Opto Division |
| 包装 |
卷带（TR） |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装、外壳 |
2-SMD，J 形引线 |
| 工作温度 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
| 方向 |
顶视图 |
| 波长 |
940nm |
| 电压 - 正向 (Vf)（典型值） |
1.35V |
| 电流 - DC 正向 (If)（最大值） |
100mA |
PDF描述：High Speed Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs Double Hetero 高速红外发光二极管， 940纳米， GaAlAs的双异质
