详细描述:SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 18Mb 并联 400 MHz 165-FBGA(13x15)
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| DigiKey 可编程 |
未验证 |
| 供应商器件封装 |
165-FBGA(13x15) |
| 写周期时间 - 字,页 |
- |
| 制造商 |
Infineon Technologies |
| 包装 |
托盘 |
| 基本产品编号 |
CY7C1143 |
| 存储器接口 |
并联 |
| 存储器格式 |
SRAM |
| 存储器类型 |
易失 |
| 存储器组织 |
1M x 18 |
| 存储容量 |
18Mb |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装、外壳 |
165-LBGA |
| 工作温度 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
| 技术 |
SRAM - 同步,QDR II+ |
| 时钟频率 |
400 MHz |
| 电压 - 供电 |
1.7V ~ 1.9V |
| 系列 |
- |
| 零件状态 |
停产 |
PDF描述:18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) 18兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.0周期读延迟)