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W632GU6NB-11

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Winbond Electronics

品牌:

Winbond Electronics

型号:

W632GU6NB-11

编号:

D6512548

包装:

剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb 并联 933 MHz 20 ns 96-VFBGA(7.5x13)


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 未验证
供应商器件封装 96-VFBGA(7.5x13)
写周期时间 - 字,页 15ns
制造商 Winbond Electronics
包装 托盘
基本产品编号 W632GU6
存储器接口 并联
存储器格式 DRAM
存储器类型 易失
存储器组织 128M x 16
存储容量 2Gb
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 96-VFBGA
工作温度 0°C ~ 95°C(TC)
技术 SDRAM - DDR3L
时钟频率 933 MHz
电压 - 供电 1.283V ~ 1.45V
系列 -
访问时间 20 ns
零件状态 停产

产品概述

W632GU6NB-11 2Gbit DDR3L SDRAM 产品概述

一、核心参数规格

W632GU6NB-11是华邦(WINBOND)推出的高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),采用DDR3L架构设计,核心参数满足中等容量、高速缓存的应用需求:

  • 存储容量:2Gbit(等效256MB),可作为处理器缓存、系统内存或数据临时存储;
  • 时钟频率:933MHz,支持DDR3L协议的高速数据传输,适配主流嵌入式处理器的带宽要求;
  • 架构类型:DDR3L(低电压DDR3),兼容DDR3协议但工作电压更低,兼顾性能与功耗平衡。

二、封装与引脚配置

该产品采用96-VFBGA封装,具体规格为7.5mm×13mm,具备以下优势:

  • 体积紧凑:VFBGA(超精细球栅阵列)封装相比传统封装(如SOIC)缩小近50%占用空间,适合高密度PCB设计(如小型化嵌入式设备);
  • 引脚功能:96个引脚覆盖DDR3L完整接口,包括地址总线、16位数据总线、控制信号(时钟、命令、选通),可直接兼容主流MCU/SoC;
  • 信号完整性:BGA封装通过球栅阵列连接,减少引脚间串扰,提升高频信号传输稳定性,适合高速读写场景。

三、电气特性说明

电气参数针对低功耗与宽电压范围优化,关键指标如下:

  • 工作电压:1.283V~1.45V,符合DDR3L标准(低于DDR3的1.5V),有效降低运行功耗;
  • 工作电流:135mA(典型值),满足高速数据读写时的电流需求,确保系统运行稳定;
  • 刷新电流:15mA(典型值),刷新操作是SDRAM维持数据的必要过程,低刷新电流可显著降低待机功耗,适合长期运行设备(如工业控制器)。

四、工作环境要求

该产品支持宽温度范围工作,适配复杂应用场景:

  • 工作温度:0℃~+95℃,覆盖工业级应用典型温度区间(如车间、户外基站),无需额外温度补偿;
  • 存储温度:-55℃~+125℃(华邦标准),确保运输、仓储过程中器件性能不受损。

五、典型应用场景

结合参数特性,W632GU6NB-11主要适用于以下场景:

  1. 工业控制设备:PLC、工业计算机、伺服驱动器(需高速缓存与宽温可靠性);
  2. 车载电子系统:仪表盘、ADAS模块、车载信息娱乐系统(抗振动与宽温要求);
  3. 通信设备:小型路由器、无线AP、交换机(低功耗与高密度封装需求);
  4. 嵌入式终端:物联网网关、手持终端、便携式医疗设备(紧凑体积与低功耗)。

该产品以DDR3L架构为核心,兼顾高速性能、低功耗、宽温可靠性与紧凑封装,是工业、车载、通信等领域中等容量存储需求的实用解决方案。

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