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DS1302ZN

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Analog Devices Inc./Maxim Integrated

品牌:

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

型号:

DS1302ZN

编号:

D4370553

包装:

卷带(TR)

批号:

-

封装:

-

描述:

IC RTC CLK/CALENDAR SER 8SOIC

  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

详细描述:实时时钟 (RTC) IC 时钟/日历 31B 3 线串口 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 未验证
供应商器件封装 8-SOIC
制造商 Analog Devices Inc.、Maxim Integrated
包装 管件
基本产品编号 DS1302
存储容量 31B
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度 -40°C ~ 85°C
接口 3 线串口
日期格式 YY-MM-DD-dd
时间格式 HH:MM:SS(12、24 小时)
特性 闰年,NVSRAM,涓流充电器
电压 - 供电 2V ~ 5.5V
电压 - 供电,电池 2V ~ 5.5V
电流 - 计时(最大值) 0.3µA ~ 1µA @ 2V ~ 5V
类型 时钟、日历
系列 -
零件状态 停产

PDF描述: 实时时钟 (RTC) IC 时钟/日历 31B 3 线串口 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

DS1302ZN 产品概述

一、产品简介

DS1302ZN(华冠 HGSEMI 代号)是一款面向低功耗实时时钟(RTC)应用的时钟芯片,适合需要长期保持时间信息且断电后仍需维持计时的嵌入式系统。器件采用外置晶振工作、三线串行通信,封装为传统的 DIP-8,便于在面包板及插座式电路中快速调试与替换。

二、主要规格参数

  • 工作温度:-40℃ ~ +85℃
  • 静态电流(Iq):100 nA(超低待机电流,适合电池供电长期工作)
  • 晶振:外置(通常配合 32.768 kHz 石英晶体)
  • 接口类型:三线串行接口(简洁的 CLK/IO/CE 控制线)
  • 工作电压:2.0 V ~ 5.5 V(宽电压范围,兼容多种单片机电源)
  • 耗散功率(Pd):0.001 mW(极低功耗特性)
  • 品牌/型号:HGSEMI(华冠) DS1302ZN
  • 封装:DIP-8

三、功能特点

  • 提供年、月、日、星期、时、分、秒的计时功能,并支持闰年处理与日历滚动逻辑。
  • 外置晶振设计便于更换与调试,标准 32.768 kHz 晶体常用以获得精确走时。
  • 三线串行接口电路简单,节省引脚资源,易于与单片机和微控制器连接。
  • 宽电压和宽工作温度范围使其能在工业级和消费类产品中可靠运行。
  • 极低静态电流与耗散功率,适合集成在电池供电或能量受限的设备中以延长待机时间。
  • 支持备用电源输入,断电时可通过电池或超级电容保持时钟运行(使用时请参考具体原理图与选型说明)。

四、典型应用场景

  • 各类需长期计时的嵌入式系统:数据记录仪、远程终端、无线传感节点等。
  • 工业设备与仪表:需在极端温度环境下稳定计时的系统。
  • 消费类电子:电子表、定时控制器、闹钟模块、家用电器的实时时钟模块。
  • 开发与教学:由于 DIP-8 封装,适合原型开发和教学演示使用。

五、设计与使用要点

  • 晶体与布局:建议使用匹配的 32.768 kHz 石英晶体,并在晶体两端保持短走线及良好接地,以降低抖动和温漂。
  • 电源管理:为获得最低功耗,确保外部供电在空闲模式下有良好去耦;备用电源输入应加防反接与限流保护。
  • 接口连接:三线接口通信需遵循时序规范,读写操作注意 CE/CLK/IO 的时序关系以避免数据错位。
  • 热管理与封装:DIP-8 封装便于插拔,但若用于量产 SMT 环境,可选相应的 SMD 封装版本(如有)。
  • 调校与校准:对要求高精度的应用,可在系统上层校准计时误差或采用温度补偿方法改善长期精度。

六、封装与采购建议

DS1302ZN 在 DIP-8 封装下便于测试与替换,采购时请确认供应商为 HGSEMI(华冠)或有可靠的替代品与技术支持;批量设计中注意查看器件的温度等级与质量认证,结合实际功耗与备用电源方案做最终确认。

总结:DS1302ZN 以其超低待机电流、宽电压范围、简单的三线接口和经典的 DIP-8 封装,适合各种对功耗和可靠性有严格要求的时钟应用。设计时关注晶振布局、电源去耦与接口时序,可获得稳定可靠的计时性能。

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