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MB10S

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Diotec Semiconductor

品牌:

Diotec Semiconductor

型号:

MB10S

编号:

D6154822

包装:

剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

BRIDGE RECT 1P 1KV 0.5A TO269AA

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:桥式整流器 单相 标准 1 kV 表面贴装型 TO-269AA MINIDIL SLIM


产品参数

产品属性 属性值
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1 V @ 400 mA
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 1000 V
二极管类型 单相
供应商器件封装 TO-269AA MINIDIL SLIM
制造商 Diotec Semiconductor
包装 卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 TO-269AA,4-BESOP
工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ)
技术 标准
电压 - 峰值反向(最大值) 1 kV
电流 - 平均整流 (Io) 500 mA
系列 -
零件状态 在售

PDF描述: 桥式整流器 单相 标准 1 kV 表面贴装型 MBS

产品概述

MB10S 产品概述

一、产品简介

MB10S 为 SHIKUES(时科)推出的一款单相整流桥,封装为 MBS 型塑封桥式外壳,适合高电压、低至中等电流的整流应用。器件在 500mA 测试点的正向压降 Vf≈1.0V,额定直流反向耐压可达 1kV,漏电流在高压条件下也维持在较低水平(Ir≈5µA@1kV),兼顾耐压能力与功率损耗控制,适用于需要高耐压但电流需求不大的场合。

二、主要技术参数

  • 类型:单相整流桥(桥式整流器)
  • 品牌:SHIKUES(时科)
  • 封装:MBS
  • 额定整流电流 Io:800mA(平均整流电流)
  • 正向压降 Vf:1.0V @ 500mA
  • 直流反向耐压 Vr(VRRM):1000V
  • 反向漏电流 Ir:≤5µA @ 1kV
  • 非重复峰值浪涌电流 Ifsm:30A
  • 工作结温范围 Tj:-55℃ ~ +150℃

三、产品特点

  • 高耐压:1kV 的反向耐压使其能在较高电压环境下工作,适合高压电源与测试设备。
  • 低漏电流:在高压条件下 Ir 低至 5µA,利于减少待机损耗与提高系统稳定性。
  • 良好浪涌承受能力:30A 的峰值浪涌电流可应对短时启动或过渡浪涌。
  • 宽温度范围:-55℃ 至 +150℃ 的结温范围适合工业级温度需求。
  • 封装可靠:MBS 塑封封装便于安装与散热处理,机械强度高。

四、典型应用场景

  • 高压直流电源与偏置电源(例如示波器、高压探头电源)
  • 仪器仪表的高压整流和滤波电路
  • 小型开关电源的次级整流(高耐压、低电流场合)
  • 测试与测量设备、传感器供电的高压整流模块

五、设计与使用建议

  • 热管理:虽为 800mA 额定整流电流,但在持续高电流或高环境温度下应采取适当散热(加大 PCB 铜箔、必要时加散热片),并考虑结温与环境温度的叠加效应进行电流降额。
  • 浪涌保护:Ifsm 为瞬态峰值,建议在有大浪涌可能的场合并联限流电阻或使用浪涌抑制器(TVS、NTC)保护器件。
  • 反向电压裕量:实际设计中应留有安全裕量,不要总是靠近 1kV 上限工作;考虑工况中的瞬态过压。
  • 并联/串联注意:并联整流器以提高电流容量时需注意电流均分问题,串联以提高耐压时需保证电压均分电阻或阻容分压网络。
  • 漏电随温度上升:高温下 Ir 会上升,在高温环境或对漏电敏感的电路(如高阻输入)需额外考虑。

六、封装与机械安装

MBS 塑封桥式封装具有明确的交流输入、直流输出与地脚标识,安装时注意焊接温度与时长以免损伤器件;推荐按厂家焊接曲线进行回流或波峰焊,以保证长期可靠性。

七、包装、储存与注意事项

  • 储存时避免高温、高湿及强光照,防止封装老化与引脚氧化。
  • 操作时注意静电防护(ESD)和机械应力,避免引脚弯折造成内部裂纹。
  • 长期应用需关注反向漏电随老化或污染增加的可能性,定期检测性能以确保系统安全运行。

总体而言,MB10S(SHIKUES,MBS 封装)以其 1kV 高耐压、低漏电与较好的浪涌承受能力,在医疗仪器、高压电源、测量设备等对耐压有较高要求但电流不大的场合是一款性价比合理的整流桥选择。

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