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2SK209-Y(TE85L,F)
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2SK209-Y(TE85L,F)

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Toshiba Semiconductor and Storage

品牌:

Toshiba Semiconductor and Storage

型号:

2SK209-Y(TE85L,F)

编号:

D6165151

包装:

剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

JFET N-CH 50V 14MA SC59

数据手册
  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述：JFET N 通道 50 V 14 mA 150 mW 表面贴装型 SC-59


产品参数

产品属性 属性值
FET 类型 N 通道
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) 1.5 V @ 100 nA
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) 14 mA @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 13pF @ 10V
供应商器件封装 SC-59
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
功率 - 最大值 150 mW
包装 卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带
基本产品编号 2SK209
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
工作温度 125°C（TJ）
漏极电流 (Id) - 最大值 14 mA
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 50 V
系列 -
零件状态 在售

PDF描述：Trans JFET N-CH 3mA 3-Pin S-Mini T/R

产品概述

2SK209-Y (TE85L,F) 产品概述

一、产品概况

2SK209-Y 为东芝（TOSHIBA）出品的小功率 N 沟道场效应晶体管，针对射频与小信号放大场合优化。器件额定漏源电压 Vdss 为 50V，允许耗散功率 Pd 为 150mW，适合低功耗、低噪声前端电路和增益级应用。封装为紧凑型 SOT-346，便于高密度 PCB 布局与表面贴装工艺。

二、主要性能

  • 器件类型：N 沟道（适用于射频/小信号处理）
  • 最大漏源电压：50V（Vdss）
  • 最大耗散功率：150mW（Pd）
  • 小信号测试示例：在 10V 偏压与 1kHz 信号条件下，典型漏极电流约 500µA（测试条件仅供参考，具体以元件数据手册为准）
  • 优势：输入阻抗高、噪声低、线性度好，适合前置放大与缓冲电路。

三、电气参数与特性说明

2SK209-Y 设计用于小信号放大，低静态电流与低功耗特性使其在便携与恒流受限电路中表现良好。器件在射频范围内保持稳定的增益与相位响应，适配 VHF/UHF 以及中频级放大场景。请在设计时注意不超过 Vdss 与 Pd 极限，并留有热裕度。

四、封装与引脚

封装：SOT-346（小型表贴），便于自动贴装与回流焊工艺。
封装优势：占板面积小、寄生电感电容低，有利于射频性能表现。实际引脚排列与焊盘尺寸请参照东芝官方封装资料以确保焊接可靠性与热传导设计。

五、典型应用

  • 射频前置放大器（VHF/UHF）
  • 音频低噪声放大器与缓冲级
  • 混频器输入级与本振缓冲
  • 传感器接口、微功耗放大电路

六、设计与布局建议

  • 布局：尽量缩短信号走线，靠近器件放置输入/输出去耦电容，减少寄生电感。
  • 偏置：采用稳定的偏置源，避免过度偏流导致发热；在功耗接近 Pd 时需加散热裕度。
  • EM 抗扰：射频应用中加入合适的屏蔽与接地环，保证接地回路面积最小化。
  • 焊接：遵循 SOT-346 的推荐回流曲线，避免过度热冲击影响可靠性。

七、注意事项与可靠性提示

  • 防静电：器件为敏感半导体元件，装配与测试时须采取 ESD 防护措施。
  • 工作极限：切勿超过 Vdss 与 Pd 标称值，长期在额定功耗附近工作会降低寿命。
  • 验证：在最终电路中进行温升、线性度与噪声测试，确认在目标频率与温度范围内满足性能要求。

总结：2SK209-Y (TE85L,F) 提供了在小功耗条件下优秀的射频与小信号放大能力，适用于对空间与功耗要求严格的电子系统。选型与设计时请结合东芝官方数据手册进行详细参数核对与热设计。

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