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GD25Q16ESIGR

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

品牌:

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

型号:

GD25Q16ESIGR

编号:

D3959066

包装:

剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP

  • 产品参数

详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 7 ns 8-SOP


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 未验证
供应商器件封装 8-SOP
写周期时间 - 字,页 70µs,2ms
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
包装 卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
基本产品编号 GD25Q16
存储器接口 SPI - 四 I、O
存储器格式 闪存
存储器类型 非易失
存储器组织 2M x 8
存储容量 16Mb
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
技术 FLASH - NOR
时钟频率 133 MHz
电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V
系列 -
访问时间 7 ns
零件状态 在售

产品概述

GD25Q16ESIGR 产品概述

制造商概览 GD25Q16ESIGR 是由GigaDevice Semiconductor (HK) Limited制造的一款高性能 NOR Flash 存储器。GigaDevice 是一家知名的集成电路设计公司,致力于提供高质量的存储解决方案,广泛应用于消费电子、通讯、工业控制及物联网设备等多个领域。

产品基本信息 GD25Q16是一款为先进应用设计的16兆位(2M x 8)非易失性闪存,采用4线串行外设接口(SPI)通信,能够提供高达133 MHz的时钟频率。这使得它在数据传输速率和系统响应时间上具备优异的性能。GD25Q16的访问时间为7 ns,这对于需要快速读写操作的应用来说至关重要。

电气特性 该产品的工作电压范围为2.7V至3.6V,这为系统设计提供了灵活的电源管理方案。GD25Q16的写周期时间为70µs(字)以及2ms(页),这确保了在频繁的读写操作下,依然能够实现较高的效率。同时,该Flash存储器的工作温度范围为-40°C至85°C,适用于广泛的温度环境,满足工业及汽车应用的需求。

封装与安装 该器件采用了表面贴装型的8-SOIC封装(0.209英寸, 5.30mm宽),体积小巧,便于集成到各类电路板中。它的包装形式为卷带(TR),使得在生产线上的表面贴装过程更加高效,减少了空间的占用并提高了生产效率。GD25Q16的封装尺寸和设计使之适用于空间受限的应用。

应用领域 得益于其出色的性能与灵活的特性,GD25Q16在多个应用场景中表现突出。广泛用于消费电子产品,如智能手机、平板电脑、数码相机等;在通信设备中,如路由器和网络交换机;在工业控制领域中,如传感器和PLC等。它还适用于物联网设备以及智能家居应用中,因其低功耗和快速存取特性,特别适合需要高频次读写的非易失性存储需求。

总结 GD25Q16ESIGR是GigaDevice推出的一款高性能、低功耗的NOR Flash存储器,具备卓越的读写性能、广泛的工作温度范围和灵活的电压需求,充分满足现代电子设备对非易失性存储的需求。凭借其便捷的封装形式和高效的生产方式,GD25Q16在众多应用领域展现出不可或缺的优势,是设计师和工程师在设计存储解决方案时的理想选择。无论是汽车电子、工业控制,还是消费类电子产品,GD25Q16都能够为用户提供稳定可靠的数据存储支持。

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