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IS61WV5128BLL-10BLI

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

品牌:

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

型号:

IS61WV5128BLL-10BLI

编号:

D3961278

包装:

托盘

批号:

-

封装:

-

描述:

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 10 ns 36-TFBGA(6x8)


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 未验证
供应商器件封装 36-TFBGA(6x8)
写周期时间 - 字,页 10ns
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
包装 托盘
基本产品编号 IS61WV5128
存储器接口 并联
存储器格式 SRAM
存储器类型 易失
存储器组织 512K x 8
存储容量 4Mb
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 36-TFBGA
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
技术 SRAM - 异步
电压 - 供电 2.4V ~ 3.6V
系列 -
访问时间 10 ns
零件状态 在售

PDF描述:512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM 512K ×8高速异步的CMOS静态RAM

产品概述

IS61WV5128BLL-10BLI 产品概述

一、产品简介

IS61WV5128BLL-10BLI 是 ISSI(美国芯成)推出的一款高速、并行访问的静态随机存取存储器(SRAM),容量 4Mbit(512K × 8)。器件采用 36-TFBGA(6×8 mm)小型 BGA 封装,工作电压宽范围 2.4V ~ 3.6V,-40℃ ~ +85℃ 工业温度等级,访问时间 10ns,适合对速度和可靠性有较高要求的嵌入式与工业应用。

二、主要规格

  • 存储容量:4Mbit(512K × 8)
  • 接口类型:并口(Parallel)
  • 读/写访问时间:10ns
  • 工作电压:2.4V ~ 3.6V(典型 3.3V 应用兼容)
  • 工作电流(活动态):约 45mA
  • 待机电流:约 10mA
  • 工作温度范围:-40℃ ~ +85℃
  • 品牌:ISSI(美国芯成)
  • 封装:36-TFBGA(6×8 mm)

三、封装与机械特性

IS61WV5128BLL-10BLI 采用 36 球微型 BGA(Mini BGA)封装,体积小、引脚密度高,利于高密度 PCB 设计。BGA 封装有利于热散与电气性能,但需注意回流焊工艺控制、孔位和焊盘布局(via-in-pad 需谨慎),以及 BGA 焊球的检修与 X 光检查策略。

四、关键性能与优点

  • 高速:10ns 的访问时间适用于高速缓存、帧缓冲和实时数据缓冲场景。
  • 宽电压工作:2.4V~3.6V 的电压范围,兼容 3.3V 系统并在较宽电源波动下保持稳定。
  • 工业级温度:-40℃~+85℃,适合工业控制、通信基站等恶劣环境。
  • 小型化封装:36-TFBGA 有利于节省 PCB 空间,适合紧凑型系统设计。
  • 易于并行访问:标准并行地址/数据总线,便于与微处理器、FPGA、ASIC 等直接连接。

五、典型应用

  • 网络设备与交换矩阵中的缓存/缓冲器
  • 工业控制系统的数据存储与临时缓存
  • 视频/图像处理模块的帧缓冲与行缓存
  • 高速测控、数据采集与嵌入式系统的临时存储
  • 与 FPGA/ASIC 配合的工作存储与队列缓冲

六、设计与使用建议

  • 电源去耦:在电源引脚附近放置合适的高频与大容量去耦电容(如 0.1µF 与 4.7µF),以减少瞬态电流对存取稳定性的影响。
  • PCB 布局:地址、数据总线走线应尽量短且成对控制阻抗,时钟/控制信号注意走线匹配与退耦,避免长线引入串扰。
  • 焊接工艺:BGA 封装需采用推荐回流曲线,严格控制升温速率与回流峰值温度,避免焊球缺陷。
  • ESD 与保护:在生产与测试过程中注意静电防护,系统端应考虑输入过压/浪涌保护。
  • 规格确认:型号后缀(如 -10、-BLI 等)对应速度等级与封装选项,采购与设计前建议参考 ISSI 官方数据手册以确认完整的电气时序与引脚定义。

如需更详细的时序图、引脚分配或应用电路建议,请提供是否需要数据手册或特定应用场景,我可以进一步协助查找与解析。

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