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GD25Q80EEIGR
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GD25Q80EEIGR

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

品牌:

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

型号:

GD25Q80EEIGR

编号:

D3965242

包装:

剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON

数据手册
  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 8Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 7 ns 8-USON（2x3）


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 未验证
供应商器件封装 8-USON（2x3）
写周期时间 - 字，页 70µs，2ms
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
包装 卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带
基本产品编号 GD25Q80
存储器接口 SPI - 四 I、O
存储器格式 闪存
存储器类型 非易失
存储器组织 1M x 8
存储容量 8Mb
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 8-XFDFN 祼焊盘
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
技术 FLASH - NOR
时钟频率 133 MHz
电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V
系列 -
访问时间 7 ns
零件状态 在售

PDF描述： FLASH - NOR 存储器 IC 8Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 7 ns 8-USON（2x3）

产品概述

GD25Q80EEIGR 产品概述

一、概述

GD25Q80EEIGR 是北京兆易创新（Gigadevice）推出的一款 8Mbit SPI NOR Flash 器件，工作时钟可达 133MHz，工作温度范围为 -40℃ 至 +85℃，适用于工业级和消费级嵌入式存储与代码存放场景。器件封装为 USON-8-EP（2x3），带有裸露散热焊盘，便于热量释放与接地。

二、主要规格

  • 存储容量：8 Mbit（1 MByte）
  • 接口类型：SPI（高频 133MHz）
  • 工作电压：2.7V ~ 3.6V（兼容 3.3V 体系）
  • 工作温度：-40℃ ~ +85℃
  • 页写入时间（Tpp）：400 μs（典型）
  • 擦写寿命：100,000 次
  • 数据保存期（TDR）：20 年
  • 待机电流：11 μA

三、性能与可靠性

此器件在 133MHz 时钟下可提供较高的读取带宽，适合代码执行型或高速数据读取应用。100k 次擦写和 20 年的数据保持保证了长期可靠性，适合需要频繁固件升级或长期出厂数据保持的场合。低待机电流（11 μA）利于电池供电设备降低静态功耗。

备注示例计算（基于常见 256 字节页大小，若实际页大小不同以数据手册为准）：1 MByte / 256 B = 4096 页；全部顺序写入时间约为 4096 × 400 μs ≈ 1.64 s（忽略命令与等待开销）。

四、典型应用

  • MCU 启动/引导存储（Boot ROM / 执行在外部闪存）
  • 固件升级与备份存储
  • 配置参数、校准数据与日志保存
  • 工业控制、网络设备、物联网终端等需长期数据保持与高可靠性的场景

五、设计与布局建议

  • 电源去耦：VCC 附近放置 0.1 μF 陶瓷电容并靠近封装引脚，减少高频抖动。
  • 信号完整性：SCLK 与 MOSI/MISO 走线尽量短且并行匹配，必要时在 SCLK 串联小电阻（10–33 Ω）抑制反射。
  • CS/HOLD/WP 管脚：按系统需要加上上拉/下拉，避免上电时未知状态。
  • 曝露焊盘（EP）：焊接到大地平面，有助于散热与可靠焊接；焊盘下建议开地通孔或铺铜。
  • 电平匹配：器件供电 2.7–3.6V，外部 MCU IO 电平需兼容该范围或通过电平移位处理。

总结：GD25Q80EEIGR 以其工业级温度、较高的时钟速率、长期数据保持与高擦写耐久性，适合对可靠性和读取性能有要求的嵌入式存储应用。在系统集成时，请参考完整芯片手册进行命令序列、电源时序与封装焊接注意事项的最终确认。

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