详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR4X 存储器 IC 8Gb 并联 2.133 GHz 3.5 ns 200-TFBGA(10x14.5)
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| DigiKey 可编程 |
未验证 |
| 供应商器件封装 |
200-TFBGA(10x14.5) |
| 写周期时间 - 字,页 |
18ns |
| 制造商 |
Micron Technology Inc. |
| 包装 |
盒 |
| 基本产品编号 |
MT53E512 |
| 存储器接口 |
并联 |
| 存储器格式 |
DRAM |
| 存储器类型 |
易失 |
| 存储器组织 |
512M x 16 |
| 存储容量 |
8Gb |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装、外壳 |
200-TFBGA |
| 工作温度 |
-40°C ~ 105°C(TC) |
| 技术 |
SDRAM - 移动 LPDDR4X |
| 时钟频率 |
2.133 GHz |
| 电压 - 供电 |
1.06V ~ 1.17V |
| 等级 |
汽车级 |
| 系列 |
- |
| 访问时间 |
3.5 ns |
| 资质 |
AEC-Q100 |
| 零件状态 |
最后售卖 |
PDF描述: SDRAM - 移动 LPDDR4X 存储器 IC 8Gb 并联 2.133 GHz 3.5 ns 200-TFBGA(10x14.5)