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IS61LV2568L-10TL

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

品牌:

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

型号:

IS61LV2568L-10TL

编号:

D3990392

包装:

剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 2Mb 并联 10 ns 44-TSOP II


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 未验证
供应商器件封装 44-TSOP II
写周期时间 - 字,页 10ns
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
包装 托盘
基本产品编号 IS61LV2568
存储器接口 并联
存储器格式 SRAM
存储器类型 易失
存储器组织 256K x 8
存储容量 2Mb
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
工作温度 0°C ~ 70°C(TA)
技术 SRAM - 异步
电压 - 供电 3.135V ~ 3.6V
系列 -
访问时间 10 ns
零件状态 在售

PDF描述:256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 256K ×8高速CMOS静态RAM

产品概述

IS61LV2568L-10TL 产品概述

概述

IS61LV2568L-10TL是由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款高性能静态随机存取存储器(SRAM),设计用于各种数字电路系统。该器件以其卓越的存储密度、快速的访问速度和广泛的适用性,在嵌入式系统、数据缓存、图像处理等领域得到了广泛应用。

存储器特性

IS61LV2568L-10TL是一款易失性存储器,其存储容量为2Mb(256K x 8位),意味着它可以在一个存储单元中存储256K个字节的数据。作为SRAM器件,它提供了快速的读写能力,适合需要高频存取操作的应用场景。该器件采用异步SRAM技术,允许用户在任何时候进行读写操作,大大简化了控制逻辑的设计。

性能参数

  • 存储器访问时间:该SRAM的访问时间为10纳秒(ns),这意味着在发出读命令后的10纳秒内,存储器可以返回数据。因此,对于需要快速数据存取的应用,这一特性非常重要。
  • 写周期时间:IS61LV2568L也具有10纳秒的写周期时间,这使得它可以在极短的时间内完成数据的写入,满足高频率数据处理需求。

电气特性

该器件的供电电压范围为3.135V至3.6V,使其在实际应用中具备良好的电源适应性。此外,其工作温度范围为0°C至70°C,能够确保在一般工业和商业环境下稳定运行。这样广泛的电气参数使得IS61LV2568L能够满足多种应用需求。

封装和安装

IS61LV2568L-10TL采用44-TSOP II封装,尺寸为0.400"(10.16mm宽),适合表面贴装(SMT)技术。该紧凑的封装设计使其适合高密度电路板布线,可以有效减小空间占用,满足现代设备对小型化和高集成度的要求。

应用领域

IS61LV2568L-10TL被广泛应用于各种电子产品中,包括:

  • 嵌入式系统:在多种嵌入式处理器中,SRAM用于快速数据缓存,提升计算速度。
  • 互联网设备:如路由器、交换机等网络设备中,SRAM用于保存流量表和快速转发缓存。
  • 工业控制:在PLC、DCS等控制系统的快速数据处理和存储中,SRAM是不可或缺的组成部分。
  • 消费电子:如数字相机、便携式媒体播放器等,SRAM提供快速图像和音频数据缓存功能。

总结

IS61LV2568L-10TL是一款技术先进的SRAM存储器,具备高存储容量、快速的访问和写入时间,适用于多种数字电路应用。其灵活的供电范围和工作温度允许在多种环境下使用。随着对高性能存储需求的持续增长,IS61LV2568L-10TL无疑是让设计工程师信赖的选择,能够为各种高科技产品带来可靠的数据存储解决方案。无论是在设计新产品,还是在升级现有系统时,这款SRAM都具备强大的竞争力。

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