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IS41LV16105D-50KLI

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

品牌:

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

型号:

IS41LV16105D-50KLI

编号:

D4002176

包装:

剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:DRAM - FP 存储器 IC 16Mb 并联 25 ns 42-SOJ


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 未验证
供应商器件封装 42-SOJ
写周期时间 - 字,页 -
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
包装 管件
基本产品编号 IS41LV16105
存储器接口 并联
存储器格式 DRAM
存储器类型 易失
存储器组织 1M x 16
存储容量 16Mb
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 42-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
技术 DRAM - FP
电压 - 供电 3V ~ 3.6V
系列 -
访问时间 25 ns
零件状态 停产

产品概述

IS41LV16105D-50KLI 产品概述

一、产品简介

IS41LV16105D-50KLI 为 ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)出品的一颗并行 DRAM 存储器,单芯片存储容量为 16Mbit,组织形式为 1M x 16。该器件采用传统 Fast Page(FP)DRAM 技术,面向需要并行存取与高速随机读写的嵌入式系统与消费类设备。器件为易失性存储器,掉电后数据丢失,须由外部控制器提供周期性刷新。

二、主要参数

  • 存储容量:16 Mbit(1M x 16)
  • 存储类型:易失性 DRAM(FP DRAM)
  • 接口类型:并行数据总线(16 位 DQ)
  • 供电电压:3.0 V ~ 3.6 V
  • 访问时间:25 ns
  • 工作温度:-40°C ~ +85°C(TA)
  • 管脚/功能:需配合传统 DRAM 控制信号(RAS/CAS/WE、地址线、数据线等)与刷新机制

三、封装与机械信息

  • 封装形式:42-BSOJ(宽度 0.400" / 10.16 mm)
  • 供应商器件封装标识:42-SOJ
  • 安装方式:表面贴装(SMD)
  • 包装:管件(tube)

四、典型应用场景

该器件适用于对中等容量并行内存有需求的场景,例如嵌入式控制器的程序/数据缓冲、图像/视频处理的帧缓冲、网络设备的包缓存或其他需要并行高速访问但容量要求不高的系统。在设计中常与专用 DRAM 控制器或微处理器的外部存储总线配合使用。

五、注意事项与替代建议

  • 器件状态:停产(Discontinued),在新设计中应避免直接使用该型号并尽早规划替代方案。
  • 设计注意:作为传统 DRAM,需外部刷新与时序控制,电源管理与耦合、信号完整性需在 PCB 设计中重点考虑。
  • 替代建议:可联系 ISSI 或供应链方查询等效或兼容的 16Mbit(1M x16)FP DRAM 型号,或采用同等级别的并行 DRAM/异构存储方案以满足生命周期与供货要求。

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