详细描述:DRAM - EDO 存储器 IC 16Mb 并联 25 ns 50-TSOP II
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| DigiKey 可编程 |
未验证 |
| 供应商器件封装 |
50-TSOP II |
| 写周期时间 - 字,页 |
85ns |
| 制造商 |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 包装 |
托盘 |
| 基本产品编号 |
IS41LV16100 |
| 存储器接口 |
并联 |
| 存储器格式 |
DRAM |
| 存储器类型 |
易失 |
| 存储器组织 |
1M x 16 |
| 存储容量 |
16Mb |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装、外壳 |
50-TSOP(0.400",10.16mm 宽),44 引线 |
| 工作温度 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
| 技术 |
DRAM - EDO |
| 电压 - 供电 |
2.97V ~ 3.63V |
| 系列 |
- |
| 访问时间 |
25 ns |
| 零件状态 |
停产 |
PDF描述: DRAM - EDO 存储器 IC 16Mb 并联 25 ns 50-TSOP II