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IS25LQ020B-JULE

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

品牌:

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

型号:

IS25LQ020B-JULE

编号:

D6513399

包装:

托盘

批号:

-

封装:

-

描述:

IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8USON

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 2Mb SPI - 四 I/O 104 MHz 8 ns 8-USON(2x3)


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 未验证
供应商器件封装 8-USON(2x3)
写周期时间 - 字,页 800µs
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
包装 卷带(TR)
基本产品编号 IS25LQ020
存储器接口 SPI - 四 I、O
存储器格式 闪存
存储器类型 非易失
存储器组织 256K x 8
存储容量 2Mb
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 8-UFDFN 祼焊盘
工作温度 -40°C ~ 105°C(TA)
技术 FLASH - NOR
时钟频率 104 MHz
电压 - 供电 2.3V ~ 3.6V
系列 -
访问时间 8 ns
零件状态 停产

产品概述

IS25LQ020B-JULE 产品概述

一、概述

IS25LQ020B-JULE 是 ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)推出的一款 2Mbit(256K x 8)SPI NOR Flash 存储器,采用 90nm 工艺制造,支持四线 I/O(Quad SPI),工作电压范围宽(2.3V ~ 3.6V),工业级工作温度(-40°C ~ 105°C)。器件为表面贴装封装(8‑UFDFN / 8‑USON 带裸露焊盘),以卷带(TR)形式供应。当前零件状态为停产(Discontinued),须注意后续采购与替代方案规划。

二、主要特性

  • 存储容量:2 Mbit(256K x 8)
  • 存储类型:非易失性 NOR 闪存(FLASH)
  • 接口:SPI,支持四 I/O(Quad I/O)
  • 最高时钟频率:104 MHz
  • 写周期(字/页):约 800 µs
  • 访问时间:8 ns
  • 工作电压:2.3V 至 3.6V(单电源)
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 封装:8‑UFDFN(裸露焊盘),供应商标称 8‑USON(2x3)
  • 包装:卷带(TR)
  • 器件状态:停产

三、电气与性能要点

该器件以 Quad‑SPI 提供高速串行访问能力,104 MHz 的时钟上限可支持较高的读写吞吐。典型随机访问延迟(access time)低至 8 ns,适用于对代码或常用数据进行快速读取的场景。写入方面字/页级写周期约 800 µs(具体时序、扇区/块擦写时间与命令集详见厂商数据手册)。实际系统设计时,应以 ISSI 官方数据手册中的时序图与命令时序为准。

四、封装与热/电气注意事项

器件为 8 引脚 UFDFN/USON 封装,带裸露焊盘(exposed pad),建议在 PCB 设计时:

  • 将裸露焊盘连接至地平面以提高散热和电气接地性能(具体焊盘尺寸与过孔布局参考厂商推荐 land‑pattern)。
  • 在 VCC 引脚附近放置适当的去耦电容(例如 0.1 µF)并尽量靠近器件引脚布局。
  • 严格遵循制造商的回流焊工艺规范和温度曲线以保证焊接可靠性。
  • 注意静电防护与湿敏等级(MSL),出货为卷带(TR),搬运与存储按电子元件防护标准进行。

五、典型应用与设计建议

适用于:微控制器代码存储、固件存储、嵌入式系统的非易失数据记录、引导引导存储以及工业级设备的只读或少量写入场景。由于器件已停产,设计时建议:

  • 在方案评估阶段确认库存与长期可获得性;
  • 在 PCB 布局阶段预留兼容封装的落板以便替换;
  • 对关键功能做冗余或支持外接可替代容量/接口的方案,以减少停产带来的风险。

六、采购与后续动作建议

IS25LQ020B-JULE 已标注为停产,采购时应:

  • 与供应链确认现有库存的数量与保质期;
  • 索取并保存 ISSI 的数据手册与器件放行文件(PCN/MRB)以便后续验证;
  • 评估同容量或兼容的 SPI NOR 产品作为替代,并在替代前做功能与电气兼容性验证。

备注:有关更详细的指令集、时序图、可靠性参数(擦写/写入耐久性、数据保持时间)及封装机械图,请参考 ISSI 官方数据手册和封装文档。

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