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IR2183

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Infineon Technologies

品牌:

Infineon Technologies

型号:

IR2183

编号:

D4148750

包装:

批号:

-

封装:

-

描述:

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

详细描述:半桥 栅极驱动器 IC 反相,非反相 8-PDIP


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 未验证
上升、下降时间(典型值) 40ns,20ns
供应商器件封装 8-PDIP
制造商 Infineon Technologies
包装 管件
基本产品编号 IR2183
安装类型 通孔
封装、外壳 8-DIP(0.300",7.62mm)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
栅极类型 IGBT,MOSFET(N 沟道)
电压 - 供电 10V ~ 20V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 1.9A,2.3A
系列 -
输入类型 反相,非反相
通道类型 独立式
逻辑电压 - VIL,VIH 0.8V,2.7V
零件状态 停产
驱动器数 2
驱动配置 半桥
高压侧电压 - 最大值(自举) 600 V

PDF描述:HALF-BRIDGE DRIVER 半桥驱动器

产品概述:IR2183STRPBF

简要介绍

IR2183STRPBF是一款高性能的半桥栅极驱动器,由英飞凌(Infineon Technologies)推出,专为驱动N沟道MOSFET和IGBT应用而设计。其出色的驱动能力和高工作温度范围使其非常适合于多种工业和消费电子应用。封装采用了紧凑的8-SOIC表面贴装型设计,能够满足对尺寸和性能要求高的现代电路设计。


关键参数

IR2183STRPBF的主要技术参数包含:

  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm宽),适合表面贴装(SMT)技术。
  • 驱动配置:半桥配置,支持独立驱动两个渠道。
  • 驱动器数:集成两个独立的驱动器,提升电路灵活性。
  • 栅极类型:支持N沟道MOSFET和IGBT,可在高电压应用中稳定工作。
  • 电源电压:工作电源电压范围为10V至20V,适用性强。
  • 逻辑电压:VIL和VIH分别为0.8V和2.7V,满足低电平快速转换需求。
  • 峰值输出电流:灌入和拉出的峰值输出电流为1.9A和2.3A,能够驱动大功率的负载。
  • 上升和下降时间:典型升降时间分别为40ns和20ns,确保高频操作。
  • 工作温度范围:从-40°C至150°C的工作温度适应任何极端的环境条件。
  • 湿气敏感性等级(MSL):为2级,适合一般制造和存储条件下的长期应用。

应用领域

IR2183STRPBF驱动器具备适应广泛工作环境及应用场合的能力,非常适合应用于以下领域:

  1. 电机控制:可在电动机驱动、电机调速和伺服系统中广泛使用,为电机提供所需的栅极驱动信号。
  2. 开关电源:适用于DC-DC转换器、逆变器及其他高效能开关电源设计。
  3. 工业自动化:在PLC或其他自动化设备中的功率管理和控制系统中,IR2183为各类高功率设备提供优质的驱动解决方案。
  4. 消费电子:在音响设备、电视和其他家电中用于提高电源转换效率和性能。
  5. 新能源应用:如太阳能和风能变换器中,用于提高整体系统的性能与效率。

设计优势

IR2183STRPBF结合了多项先进技术,其优势在于:

  • 高驱动能力:强大的峰值输出电流使得IR2183具备快速驱动高功率MOSFET或IGBT的能力,适配更多应用场合。
  • 灵活的输入类型:提供反相和非反相输入,自由组合满足客户多样化的设计需求。
  • 高温稳定性:泛用性广,并能在 -40°C至150°C的温度范围内稳定工作,适合恶劣环境。
  • 极低的上升和下降时间:快速转变特性,支持高频开关操作,有效提高电子设备的工作频率。

结论

IR2183STRPBF是一款功能强大且灵活的半桥栅极驱动器,适用于众多高性能电子应用。通过其在工作电压、输出能力和温度适应能力上的优越表现,IR2183STRPBF无疑是现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是在电力转换、高效驱动,还是工业控制领域,IR2183的卓越性能都将为设计工程师提供更多创新空间与选择。

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