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MMBT4401
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MMBT4401

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UMW(友台半导体)

品牌:

UMW(友台半导体)

型号:

MMBT4401

编号:

E20146445

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

功能类型：降压型 工作电压：4.5V~40V 输出电压：12V 输出电流：3A 开关频率：150kHz 工作温度：-40℃~+125℃@(TJ) 同步整流：否 输出通道数：1 拓扑结构：降压式 静态电流(Iq)：887mA 开关管(内置/外置)：内置 输出类型：固定 功能特性：过流保护

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 线性稳压器(LDO)
输出类型 固定
工作电压 35V
输出电压 6V
输出电流 1.2A
电源纹波抑制比(PSRR) -
压差 -
静态电流(Iq) 6mA
噪声 -
特性 短路保护
过热保护
工作温度 -40℃~+105℃
输出极性 正极
输出通道数 1

PDF描述：NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR NPN小信号表面贴装晶体管

产品概述

MMBT4401 产品概述

一、概述

MMBT4401 为 DIOTEC（德欧泰克）出品的一款通用 NPN 小信号晶体管，采用 SOT-23-3（TO-236-3）表面贴装封装。器件设计侧重于小体积、高频性能与可靠的开关/放大能力，适合集成电路外围、信号放大与低功耗开关等应用场景。

二、主要电气参数

  • 晶体管类型：NPN
  • 集电极电流 Ic：最大 600 mA（脉冲/峰值规范需参考厂家完整数据）
  • 直流电流增益 hFE：100（测量条件 150 mA, VCE=1 V）
  • 集电极-发射极击穿电压 Vceo：40 V
  • 特征频率 fT：250 MHz（适用于高频小信号放大）
  • 集电极截止电流 Icbo：100 nA（漏电低）
  • 发射结击穿电压 Vebo：6 V
  • 集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)：典型 750 mV
  • 耗散功率 Pd：300 mW（须考虑封装散热限制）
  • 工作结温范围：-55 ℃ 至 +150 ℃（Tj）

三、性能特点与优势

  • 高频响应好：fT=250 MHz，适用于 VHF 及一般射频前端和宽带放大电路。
  • 低漏电流：Icbo=100 nA，有利于低功耗、低偏置漂移的电路设计。
  • 中等增益、较高电流能力：hFE=100（在高电流条件下仍有稳定放大能力），并支持较大的集电极电流峰值。
  • 小型封装：SOT-23-3 便于表贴自动化焊接和密集 PCB 布局。

四、典型应用

  • 通用小信号放大器、前置放大与缓冲级
  • 开关驱动（低电压、小功率场合）
  • 信号调理、脉冲整形与一级电平转换
  • 射频/宽带放大电路的前端或混合放大器

五、使用建议与注意事项

  • 虽然 Ic 最大规格为 600 mA，但在 SOT-23 小封装与 Pd=300 mW 限制下，连续工作电流应受热耗散和封装限制影响，建议根据实际 PCB 散热和功耗计算安全工作点，必要时加大散热或降低平均电流。
  • VCE(sat) 在重载时接近 750 mV，作为开关器件时需考虑压降带来的功耗。
  • 基极驱动应使用限流电阻以防止过流及基极-发射结击穿（Vebo=6 V）。
  • 引脚排列与封装尺寸请参照 DIOTEC 官方数据手册和封装图纸以保证焊接与布局正确。

如需进一步的引脚定义、极限参数曲线或典型应用电路图，可提供 DIOTEC 完整数据手册供参考。

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