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BV05C

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UMW(友台半导体)

品牌:

UMW(友台半导体)

型号:

BV05C

编号:

E20146513

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

功能类型:降压型 工作电压:4.5V~40V 输出电压:12V 输出电流:3A 开关频率:150kHz 工作温度:-40℃~+125℃@(TJ) 同步整流:否 输出通道数:1 拓扑结构:降压式 静态电流(Iq):956mA 开关管(内置/外置):内置 输出类型:固定 功能特性:过流保护

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 线性稳压器(LDO)
输出类型 固定
工作电压 35V
输出电压 6V
输出电流 1.2A
电源纹波抑制比(PSRR) -
压差 -
静态电流(Iq) 6mA
噪声 -
特性 短路保护
过热保护
工作温度 -40℃~+105℃
输出极性 正极
输出通道数 1

PDF描述:ONE THREE SIX ZERO ZERO TWO FIVE NINE SEVEN DOUBLE NINE,MR.CHEN 一三六零零二位五九七双九,陈先生

产品概述

BV05C 产品概述

一、产品简介

BV05C 是 UMW(友台半导体)推出的一款低容抗静电瞬态抑制二极管(TVS/ESD),封装为 SOD-323,专为 5V 系统的高速接口与电源线提供瞬态过压、静电放电(ESD)保护。器件体积小、响应快、结电容低,适合空间受限且对信号完整性要求高的应用场景。

二、主要性能参数

  • 反向工作电压 Vrwm:5 V
  • 击穿电压(典型):6 V
  • 钳位电压:9.8 V(典型);18.3 V(极端脉冲条件)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:8 A(8/20 μs)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:150 W(8/20 μs)
  • 反向漏电流 Ir:5 μA(常温)
  • 结电容 Cj:1.5 pF(低容,利于高速信号)
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2 静电放电保护标准

三、产品特点与优势

  • 小体积封装(SOD-323),便于高密度 PCB 布局与自动贴装。
  • 低结电容(1.5 pF),对 USB、HDMI、LVDS 等高速差分信号影响小,保持信号完整性。
  • 高峰值承受能力(8 A / 150 W @ 8/20 μs),可有效吸收常见的静电和瞬态浪涌能量。
  • 低漏电(5 μA),对待保护电路的静态功耗影响极小。
  • 宽温度工作范围,适合工业与消费类产品长期可靠运行。

四、典型应用

  • USB、UART、GPIO 等 5 V 信号线的接口保护
  • 移动设备、可穿戴设备、消费电子的 I/O 端口
  • 工业控制、楼宇自控中对单线防护需求场合
  • 通讯设备、摄像头模组等对信号完整性有要求的保护方案

五、使用建议与 PCB 布局要点

  • 将 BV05C 靠近被保护的器件引脚或连接器放置,针脚间走线越短越好,以降低寄生感抗和环路面积。
  • 对地保护时应保证接地平面低阻、短路径;若为差分线保护,可在差分对两端各放置 TVS(根据系统是单向或双向选择器件类型)。
  • 避免在 TVS 与器件之间并联过多滤波元件,必要时选择与保护器件匹配的网络以免影响响应速度。
  • SOD-323 封装焊盘按厂商推荐尺寸设计,保证良好焊接与散热。

六、可靠性与选型提示

  • BV05C 以 5 V 系统为目标,请确认系统最大工作电压与峰值脉冲条件与器件参数匹配。
  • 若系统需双向钳位(对信号正负摆幅均需保护),请核对器件是否为双向型号或选用对应双向 TVS。
  • 在高能量冲击或反复冲击场景,应做系统级 ESD/浪涌测试验证器件与 PCB 布局的综合防护能力。

BV05C 提供紧凑体积、低容抗、高能量吸收能力的瞬态抑制方案,适合对空间与信号完整性有双重要求的 5 V 接口保护应用。有关封装尺寸、典型应用电路及详细电气特性,建议参考 UMW 官方数据手册并与供应商确认。

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