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PESD5V0S1BA

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UMW(友台半导体)

品牌:

UMW(友台半导体)

型号:

PESD5V0S1BA

编号:

E20146663

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

功能类型:降压型 工作电压:4.5V~40V 输出电压:12V 输出电流:3A 开关频率:150kHz 工作温度:-40℃~+125℃@(TJ) 同步整流:否 输出通道数:1 拓扑结构:降压式 静态电流(Iq):1111mA 开关管(内置/外置):内置 输出类型:固定 功能特性:过流保护

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 线性稳压器(LDO)
输出类型 固定
工作电压 35V
输出电压 6V
输出电流 1.2A
电源纹波抑制比(PSRR) -
压差 -
静态电流(Iq) 6mA
噪声 -
特性 短路保护
过热保护
工作温度 -40℃~+105℃
输出极性 正极
输出通道数 1

PDF描述:Low capacitance bidirectional ESD protection diodes 低电容双向ESD保护二极管

产品概述

PESD5V0S1BA 产品概述

一、产品简介

PESD5V0S1BA(品牌:DOWO/东沃)为单路、双向瞬态抑制二极管,封装为SOD-323,专为5V类信号线和电源线的静电放电(ESD)与雷击浪涌(Surge)保护设计。器件响应快速、体积小、易于表面贴装,适合空间受限的移动终端、通信与工业控制设备。

二、主要技术参数

  • 极性:双向
  • 反向截止电压 Vrwm:5V
  • 击穿电压 Vbr:6V(典型)
  • 钳位电压 Vc:12V(测量条件见数据表)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:30A(8/20µs)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:250W @ 8/20µs(部分资料标注可达450W,最终以器件数据手册为准)
  • 反向泄漏电流 Ir:500nA
  • 结电容 Cj:30pF
  • 通道数:单路(单通道双向)
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-5(雷击浪涌)与 IEC 61000-4-2(静电放电)
  • 封装:SOD-323(小型表贴)

三、关键特性与优势

  • 双向结构可直接保护差分信号线或双向信号,无需额外反向元件。
  • SOD-323 超小封装,利于高密度 PCB 布局与自动贴装生产。
  • 低反向泄漏(500nA)可用于对泄漏敏感的接口和低功耗电路。
  • 30A 的瞬态脉冲能力配合约12V的钳位,有效限制高能脉冲对后端器件的冲击。
  • 30pF 的结电容在高速数据线上可接受,但对超高速差分链路需评估对信号完整性的影响。

四、典型应用场景

  • USB、HDMI、UART、差分信号接口的ESD/Surge保护;
  • 5V 供电总线与外围接口保护;
  • 消费电子、移动终端、工业控制设备和通信设备的输入/输出端口。

五、使用与选型建议

  • 在靠近外部连接器(如USB、I/O口)处尽量靠近焊盘放置,走线尽量短以降低寄生感抗和回路面积。
  • 若保护高速差分信号,需评估30pF结电容对信号串扰和带宽的影响,必要时选择低电容型号。
  • 对于更高能量的雷击/浪涌场景,请核实Ppp和Ipp的测试条件,并考虑并联或选型更高功率等级器件。
  • 注意热量集中与PCB散热设计,避免长期在极限脉冲下工作。

六、可靠性与认证

该器件声明符合 IEC 61000-4-2 与 IEC 61000-4-5 标准的防护要求,适用于工业与消费级抗扰度设计。如需通过系统级认证(例如整机EMC测试),建议按标准做整机级别试验验证。

七、封装与采购

SOD-323 小封装利于贴片生产,建议向供应商确认包装形式(卷盘、切带)与批次一致性。因资料中对峰值功率存在差异,采购前务必索取并核对官方 Datasheet 与样品测试报告。

总结:PESD5V0S1BA 在小尺寸下提供较强的瞬态抑制能力,适合对5V接口进行经济高效的ESD/浪涌保护。选型时请结合具体应用的能量等级、信号带宽与PCB布线要求,确认最终器件数据以确保可靠性。

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