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SD05C

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UMW(友台半导体)

品牌:

UMW(友台半导体)

型号:

SD05C

编号:

E20146716

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

功能类型:降压型 工作电压:4.5V~40V 输出电压:12V 输出电流:3A 开关频率:150kHz 工作温度:-40℃~+125℃@(TJ) 同步整流:否 输出通道数:1 拓扑结构:降压式 静态电流(Iq):1165mA 开关管(内置/外置):内置 输出类型:固定 功能特性:过流保护

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 线性稳压器(LDO)
输出类型 固定
工作电压 35V
输出电压 6V
输出电流 1.2A
电源纹波抑制比(PSRR) -
压差 -
静态电流(Iq) 6mA
噪声 -
特性 短路保护
过热保护
工作温度 -40℃~+105℃
输出极性 正极
输出通道数 1

PDF描述: 18V 夹子 17A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-323

产品概述

SD05C 瞬态抑制二极管(DOWO/东沃)产品概述

一、产品简介

SD05C 是 DOWO(东沃)推出的一款单路瞬态电压抑制(TVS)二极管,封装为 SOD-323,专为保护敏感电子接口免受静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)冲击而设计。器件工作电压(反向截止电压)为 5V,反向漏电流极小(Ir 500 nA),击穿电压约为 7V,钳位电压典型 15V,能承受单次 8/20 μs 波形的峰值脉冲功率 450W,对应峰值脉冲电流 30A。工作温度范围宽 (-55℃ ~ +125℃),符合 IEC 61000-4-2(ESD)与 IEC 61000-4-4(EFT)防护等级要求。

二、主要参数一览

  • 类型:ESD TVS 二极管(单路)
  • 反向截止电压 VRWM:5V
  • 击穿电压 Vbr:约 7V
  • 钳位电压(典型):15V
  • 峰值脉冲电流 Ipp:30A(8/20 μs)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:450W @8/20 μs
  • 反向电流 Ir:500 nA
  • 结电容 Cj:60 pF
  • 封装:SOD-323(小封装,适合表面贴装)
  • 通道数:单路
  • 工作温度:-55℃ ~ +125℃
  • 防护标准:IEC 61000-4-2,IEC 61000-4-4

三、产品特性与优势

  • 小体积封装(SOD-323),适用于空间受限的移动与便携设备。
  • 低漏电流设计,适合电池供电与低功耗系统。
  • 钳位电压控制良好(约 15V),在大多数 5V 接口出现过压时能有效限幅,保护后级芯片。
  • 对应单次高能量冲击能力强(450W@8/20 μs),对突发静电和浪涌具有良好吸收能力。
  • 结电容 60 pF,适用于多数数字接口,但在超高速差分数据线(如高速 USB/PCIe)使用时需评估对信号完整性的影响。

四、典型应用场景

  • USB、串口、GPIO、键盘/鼠标等 I/O 接口保护
  • 手机、平板、笔记本等消费电子外部接口
  • 工业控制设备、仪表与通讯终端的接口防护
  • 电源和信号线的局部过压保护(单次浪涌或静电事件)

五、设计与布局建议

  • 尽量将 SD05C 靠近受保护引脚放置,以缩短引线和走线长度,减少寄生感抗。
  • 将器件的接地端直接接到低阻抗的近端地平面,避免通过长走线回流,以降低钳位时的地弹降。
  • 在高频或高速接口上使用前,评估 60 pF 的结电容对信号延迟和串扰的影响;必要时选用低容型 TVS 或在保护拓扑中加入串联阻抗元件。
  • 对于频繁或高能量冲击环境,建议在保护电路中配合熔断器、PTC 或级联 TVS 实现更高能量分散。

六、可靠性与使用注意

  • SD05C 设计用于吸收短时瞬态能量,长期承受高频高能冲击会缩短器件寿命,应根据实际环境评估使用频率与能量水平。
  • 焊接时遵循 SOD-323 的回流焊温度曲线,不超过推荐最大回流温度以防器件损伤。
  • 出厂和安装时注意静电防护(ESD),避免器件在非保护环境下遭受破坏性放电。

七、订购信息与替代方案

  • 型号:SD05C;品牌:DOWO(东沃);封装:SOD-323;单路。
  • 若需更低结电容或更高能量承受能力,可考虑低容型或功率更高的 TVS 器件;在选择替代器件时,请对比 VRWM、钳位电压、Ipp / Ppp、结电容及封装尺寸等关键参数。

以上为 SD05C 的简要产品概述与应用建议;在最终设计中,请结合目标系统的电气规范与抗扰度要求,参照器件的详细数据手册进行验证与评估。

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