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LMV358IDR
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LMV358IDR

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TI

品牌:

TI

型号:

LMV358IDR

编号:

E022475

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

全新

数据手册
  • 产品参数
  • 数据手册PDF

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 锁存器
逻辑类型 D型锁存器
输出类型 三态
工作电压 2V~6V
通道数 8
拉电流(IOH) 7.8mA
灌电流(IOL) 7.8mA
传播延迟(tpd) 15ns
系列 74HC
工作温度 -40℃~+85℃

PDF描述：LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS 低电压轨到轨输出运算放大器

产品概述

LMV358IDR 产品概述

UMW（友台半导体）LMV358IDR 是一款面向低功耗、低电压便携系统的双通道运算放大器。器件支持轨到轨输入与轨到轨输出，适用于电池供电或低电压单电源场合，兼顾低静态功耗与较强的输出驱动能力，是传感器接口、滤波、缓冲和低频放大的理想选择。

一、主要特点

  • 双路运算放大器，集成在同一器件内，节省PCB面积。
  • 轨到轨输入与轨到轨输出，输入输出能够接近电源轨，提高小信号范围利用率。
  • 低功耗设计，静态电流仅约45 µA，适合电池供电与功耗敏感应用。
  • 宽工作电源范围：单电源供电2.1 V ～ 5.5 V；器件最大允许电源宽度（Vdd-Vss）可达7.5 V。
  • 较高的压摆率520 V/ms 与1 MHz的增益带宽积（GBP），满足多数低频至中频信号处理需求。

二、关键电气参数

  • 输入失调电压 (Vos)：典型值 5 mV，失调温漂 (Vos TC) 约 2.7 µV/°C。
  • 输入偏置电流 (Ib)：约 10 pA，输入失调电流 (Ios)：约 10 pA，适合高阻抗源驱动。
  • 噪声密度 (eN)：约 20 nV/√Hz @ 10 kHz，具备良好的小信号噪声性能。
  • 共模抑制比 (CMRR)：约 89 dB，保持共模干扰抑制能力。
  • 输出电流能力：典型可驱动 25 mA，能直接驱动小负载或后级器件。
  • 工作温度范围：-25 ℃ ～ +85 ℃，适应工业级及民用环境。

三、典型应用场景

  • 电池供电与便携式仪器的信号调理、放大与缓冲。
  • 传感器前端（温度、压力、光电等）与高阻抗信号采集接口。
  • 主动滤波器、积分器与差分放大器等模拟处理电路。
  • 低频驱动与电平转换场合，可替代电源轨附近工作要求高的放大器。

四、封装与订购信息

  • 封装类型：SOP-8，便于表面贴装与自动化生产。
  • 品牌：UMW（友台半导体）。
  • 型号：LMV358IDR。

五、使用建议与注意事项

  • 虽支持轨到轨输入输出，但输出在接近电源轨时性能（负载能力、线性度）会受限，建议在近轨工作时评估实际输出摆幅与失真。
  • 在高精度应用中，应考虑输入失调电压和温漂的影响，并通过电路校准或差分设计降低误差。
  • 尽量减少输入端的阻抗噪声耦合，配合适当的滤波与旁路电容以降低噪声与振荡风险。
  • 供电时建议在电源端增加去耦电容（如0.1 µF与10 µF并联），以保证稳定性与瞬态响应。

LMV358IDR 凭借其轨到轨特性、低静态功耗与较强的通用性能，是对功耗敏感且需在低电压下运行的模拟前端应用的优选器件。若需更详细的电气特性曲线、典型应用电路与封装尺寸图，请参阅厂商数据手册。

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