产品描述:全新
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| 商品目录 |
场效应管(MOSFET) |
| 数量 |
1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) |
50V |
| 连续漏极电流(Id) |
220mA |
| 导通电阻(RDS(on)) |
3.5Ω@10V,0.22A |
| 耗散功率(Pd) |
360mW |
| 阈值电压(Vgs(th)) |
1.5V |
| 栅极电荷量(Qg) |
2.4nC@25V |
| 输入电容(Ciss) |
27pF@25V |
| 反向传输电容(Crss) |
6pF |
| 工作温度 |
-55℃~+150℃ |
PDF描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET N沟道增强型垂直DMOS FET