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BYG22D-E3/TR

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VISHAY

品牌:

VISHAY

型号:

BYG22D-E3/TR

编号:

E024612

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

全新

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 400V
连续漏极电流(Id) 6.3A
导通电阻(RDS(on)) 550mΩ@10V,6A
耗散功率(Pd) 125W
阈值电压(Vgs(th)) 4V
栅极电荷量(Qg) 63nC@10V
输入电容(Ciss) 1.4nF
反向传输电容(Crss) 120pF@25V
工作温度 -55℃~+150℃

PDF描述:DIODE 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Rectifier Diode

产品概述

BYG22D-E3/TR 产品概述

1. 产品简介

BYG22D-E3/TR是一款高性能的雪崩二极管,由知名电子元器件制造商VISHAY(威世)生产。该元器件适合于要求较高的应用场合,尤其是在需要200V的高反向电压和2A整流电流的场合。其采用表面贴装型(SMD)封装,方便在自动化生产环境中进行快速装配,适合现代电子产品的设计需求。

2. 关键参数

  • 直流反向耐压(Vr): 200V

    • BYG22D-E3/TR可以承受高达200V的反向电压,适合于高电压电路的应用,如电源管理、电流保护等。
  • 平均整流电流(Io): 2A

    • 该二极管的平均整流器电流可达2A,能够在各种电流环境下正常工作,适合中到高功率的应用。
  • 正向压降(Vf): 1.1V @ 2A

    • 在2A的工作状态下,该二极管的正向压降为1.1V,具有较低的压降特性,这将有助于提高整个电路的能效。
  • 反向恢复特性:

    • 反向恢复时间 (trr): 25ns
    • 速度: 快速恢复,< 500ns @ > 200mA
    • 该器件具有较快的反向恢复时间,适用于开关电源和其他需要快速切换的电路,有助于减少功耗和提高系统效率。
  • 反向泄漏电流: 1µA @ 200V

    • 在200V反向电压条件下,反向泄漏电流仅为1µA,这使得该器件在高压应用中保持较低的能量损耗。

3. 温度范围与封装

BYG22D-E3/TR的工作温度范围为-55°C至150°C,适合于极端环境下的应用。这种特性使其能够在严苛的工业环境、汽车电子和航空航天应用中保持稳定性能。而其采用的DO-214AC(SMA)封装,有效提高了表面贴装的焊接性能和耐久性。

4. 应用场景

BYG22D-E3/TR广泛应用于多个领域,包括:

  • 电力电子:如变频器、UPS电源。
  • 汽车电子:如电源保护、逆变器。
  • 工业控制:高电压保护、开关电源。
  • 消费电子:移动通信、计算机配件电源管理。

5. 产品优势

  • 高效率:较低的正向压降和反向泄漏电流,确保电力损耗最小,能效高。
  • 可靠性强:在广泛的工作温度条件下,保证了器件的长期稳定性和可靠性。
  • 易于集成:因其表面贴装的特性,非常适合集成到现代PCB设计中。
  • 多用途:适用于多种高压电源和快速开关电路的设计需求。

6. 结论

总的来说,BYG22D-E3/TR是一款高效、稳健且具有高可靠性的雪崩二极管,适用于多种高电压和快速恢复的应用场景。作为VISHAY(威世)的一款优秀产品,它为设计师提供了灵活性和高性能解决方案,是现代电子产品设计中的理想选择。无论是在电力电子、汽车电子,还是工业控制领域,BYG22D-E3/TR都能有效满足严苛的性能要求,提升整体系统的效率与稳定性。

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