产品描述：全新
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| 商品目录 |
场效应管(MOSFET) |
| 数量 |
1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) |
30V |
| 连续漏极电流(Id) |
- |
| 导通电阻(RDS(on)) |
4.6mΩ@4.5V，20A |
| 耗散功率(Pd) |
- |
| 阈值电压(Vgs(th)) |
2.2V@250uA |
| 栅极电荷量(Qg) |
40nC@10V |
| 输入电容(Ciss) |
1.835nF |
| 反向传输电容(Crss) |
90pF |
| 工作温度 |
- |
| 类型 |
N沟道 |
| 输出电容(Coss) |
940pF |
PDF描述：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor P沟道增强型场效应晶体管
