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首页 > 二极管 > BZX84C10LT1G
BZX84C10LT1G
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BZX84C10LT1G

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ONSEMI

品牌:

ONSEMI

型号:

BZX84C10LT1G

编号:

E003125

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

齐纳二极管, Vz: 10V

数据手册
  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

PDF描述：Zener Voltage Regulators 齐纳稳压器

LBZX84C10LT1G 产品概述

一、产品简介

LBZX84C10LT1G 是乐山无线电（LRC）生产的独立式稳压二极管（齐纳二极管），标称稳压值为 10V，实际检验范围 9.4V ～ 10.6V。该器件以 SOT-23 小体积封装提供，适用于空间受限、成本敏感的稳压、基准和浪涌钳位场合。

二、主要电气参数

  • 稳压值（标称）：10V
  • 稳压范围：9.4V ～ 10.6V（说明器件的容差与批次浮动）
  • 反向电流 Ir：200 nA（在额定电压附近，表明漏电非常小，适合高阻抗电路）
  • 动态阻抗 Zzt：20 Ω（用于估算电压随电流变化的敏感度，动态阻抗越小，稳压性能越好）
  • 耗散功率 Pd：225 mW（器件允许的最大耗散功率，影响最大工作电流）

基于 Pd 与 Vz 的关系，器件在理想散热条件下的最大稳态电流约为 Pd/Vz ≈ 22.5 mA；实际应用中应考虑PCB散热与环境温度降额。

三、温度与可靠性

工作结温范围为 -55 ℃ 至 +150 ℃，适合工业级与宽温应用。高温条件下需注意耗散能力随温度升高而下降，建议查阅完整数据手册以获得温度依赖的功耗降额曲线并据此设计。

四、典型应用

  • 低功耗参考电压源与基准电路
  • 电源浪涌与过压钳位（特别是信号链与小电流保护）
  • 电平移位与偏置稳压
  • 精密测量电路中作为低漏电、低噪声稳压元件的替代

五、封装与布局建议

SOT-23 小封装利于高密度布板，但散热能力有限。布局要点：

  • 稳压二极管附近保留散热铜箔，并通过过孔导至内层或底层扩大散热面积
  • 在输入侧加串联限流电阻以限制通过器件的电流，避免超过Pd极限
  • 靠近被稳压点放置去耦电容以降低动态阻抗影响和抑制瞬态噪声

六、选型与注意事项

选用时注意稳压精度、反向漏电与动态阻抗是否满足系统要求；若需更大功率或更严格稳压精度，应考虑功耗更高或封装更好的替代品。实际设计中应参照厂商完整数据手册进行热设计与电流限制计算，保证长期可靠性。

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