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2N7002-7-F

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5+

¥ 1.330000

¥ 6.65
100+

¥ 0.730000

¥ 73
500+

¥ 0.450000

¥ 225
1000+

¥ 0.310000

¥ 310
3000+

¥ 0.230000

¥ 690
9000+

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24000+

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DIODES INC.

品牌:

DIODES INC.

型号:

2N7002-7-F

编号:

E003678

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

场效应管, MOSFET, N沟道, 60V SOT23

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 210mA
导通电阻(RDS(on)) 7.5Ω@5V,0.05A
耗散功率(Pd) 370mW
阈值电压(Vgs(th)) 2.5V
栅极电荷量(Qg) 223pC@4.5V
输入电容(Ciss) 50pF@25V
反向传输电容(Crss) 5pF@25V
工作温度 -55℃~+150℃

PDF描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管

暂无产品概述

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