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产品参数

产品属性	属性值
商品目录	栅极驱动芯片
驱动配置	半桥
负载类型	IGBT
MOSFET
驱动通道数	2
灌电流(IOL)	650mA
拉电流(IOH)	400mA
工作电压	11.5V~17V
上升时间(tr)	50ns
下降时间(tf)	30ns
工作温度	-45℃~+125℃

PDF描述：High-voltage high and low side driver 高电压高侧和低侧驱动器

暂无产品概述

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