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IXDN602SIATR

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产品参数

产品属性	属性值
商品目录	栅极驱动芯片
驱动配置	低边
负载类型	IGBT
MOSFET
驱动通道数	2
灌电流(IOL)	2A
拉电流(IOH)	2A
工作电压	4.5V~35V
上升时间(tr)	7.5ns
下降时间(tf)	6.5ns
工作温度	-40℃~+125℃

PDF描述：2-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers 2安培双低侧超快MOSFET驱动器

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