详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb 并联 110 ns 56-TSOP
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| DigiKey 可编程 |
未验证 |
| 供应商器件封装 |
56-TSOP |
| 写周期时间 - 字,页 |
110ns |
| 制造商 |
Cypress Semiconductor Corp |
| 包装 |
托盘 |
| 存储器接口 |
并联 |
| 存储器格式 |
闪存 |
| 存储器类型 |
非易失 |
| 存储器组织 |
32M x 8,16M x 16 |
| 存储容量 |
256Mb |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装、外壳 |
56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
| 工作温度 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
| 技术 |
FLASH - NOR |
| 电压 - 供电 |
2.7V ~ 3.6V |
| 系列 |
GL-N |
| 访问时间 |
110 ns |
| 零件状态 |
停产 |
PDF描述:3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术