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产品参数

产品属性	属性值
商品目录	NAND FLASH
存储容量	1Gbit
工作电压	2.7V~3.6V
写周期时间(Tw)	25ns
页写入时间(Tpp)	250us
块擦除时间(tBE)	2ms
数据保留 - TDR(年)	10年
工作温度	-40℃~+85℃
接口类型	-

PDF描述：1G-BIT 3.3V NAND FLASH MEMORY

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