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M5Stack Technology Co., Ltd.

品牌:

M5Stack Technology Co., Ltd.

型号:

U202

编号:

L37437475

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

PDF描述:N-CHANNEL JFET N沟道JFET

HVU202B变容二极管产品概述

HVU202B是SHIKUES(时科)推出的一款独立式变容二极管,针对射频调谐、信号滤波等高频电路场景优化设计,具备低漏电流、宽温适应性、稳定电容特性等核心优势,适配消费电子、汽车电子及工业控制等多领域应用。

一、产品定位与核心应用场景

HVU202B定位于中低压高频调谐元件,核心用于需要精确电容调谐的电路模块,典型应用包括:

  • 便携式电子设备:蓝牙/WiFi射频前端、FM收音机调谐电路(适配低功耗电池供电需求);
  • 汽车电子:车载通信模块、低频信号调谐单元(满足-55℃至+100℃宽温环境);
  • 工业控制:信号滤波电路、传感器前端调谐(适应高低温及高可靠性要求);
  • 小型通信终端:无线耳机、物联网节点的射频调谐模块(小封装适配高密度布局)。

二、关键电气参数详解

HVU202B的核心参数平衡了调谐性能与可靠性,关键指标如下:

  1. 反向耐压与漏电流:直流反向耐压(Vr)28V,满足多数射频调谐电路的偏置电压需求;反向电流(Ir)仅10nA@28V,低漏电流可显著降低电路功耗,减少信号干扰,尤其适合便携设备。
  2. 电容特性:标称电容(CT)17pF,匹配常见调谐电路容值范围;电容比6.2@C1V/C4V,1V至4V偏置电压下电容变化可预测且稳定,无需复杂补偿电路即可实现精确频率调谐。
  3. 串联电阻与损耗:串联电阻(Rs)低至450mΩ,有效降低高频信号传输损耗,提升电路效率,避免电阻发热导致的性能衰减。
  4. 宽温适应性:工作结温覆盖-55℃至+100℃,可适应北方户外低温、汽车仪表盘高温等复杂场景,可靠性符合工业级标准。

三、封装形式与可靠性设计

HVU202B采用SOD-323表面贴装封装(尺寸1.6mm×0.8mm),具备以下优势:

  • 体积紧凑:适配小型化电子设备的高密度布局,如无线耳机、智能手表等终端;
  • 独立式配置:无内部并联/串联元件,电路设计灵活性高,可按需组合使用;
  • 可靠性保障:封装符合RoHS标准,耐振动、耐冲击性能优异,长期工作无参数漂移,适合批量生产。

四、品牌与技术优势

SHIKUES(时科)作为半导体元器件专业品牌,HVU202B继承了其核心技术优势:

  • 一致性优异:批量生产参数偏差≤±5%,同一批次产品电容、漏电流等指标稳定,便于电路调试;
  • 成本效益平衡:优化封装与制造工艺,在保证性能的前提下控制成本,适配中低端至中高端产品需求;
  • 技术支持完善:提供调谐电路参考方案,帮助客户快速完成开发与验证。

五、应用注意事项

使用HVU202B需注意:

  • 偏置电压不超过28V,避免反向击穿;
  • 焊接温度控制在260℃以内(符合SOD-323封装规范);
  • 高功率射频电路中需预留散热空间,避免结温超过100℃。

综上,HVU202B凭借稳定的电容特性、低功耗、宽温适应性及小型化封装,成为射频调谐领域的高性价比选择,可满足多场景下的精确电容调谐需求。

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