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RCLAMP7534P.TNT

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Semtech Corporation

品牌:

Semtech Corporation

型号:

RCLAMP7534P.TNT

编号:

L42096789

包装:

-

批号:

-

封装:

5-UFDFN

描述:

TVS DIODE 5VWM 25VC SGP2010N5

  • 产品参数

详细描述:25V 夹子 4A(8/20µs) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SGP2010N5


产品参数

产品属性 属性值
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) 25V
不同频率时电容 0.19pF @ 1MHz
供应商器件封装 SGP2010N5
制造商 Semtech Corporation
功率 - 峰值脉冲 -
包装 卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
单向通道 4
基本产品编号 RCLAMP7534
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 5-UFDFN
工作温度 -40°C ~ 85°C(TJ)
应用 以太网,HDMI
电压 - 击穿(最小值) 6.5V
电压 - 反向断态(典型值) 5V(最大)
电流 - 峰值脉冲 (10、1000µs) 4A(8、20µs)
电源线路保护
类型 转向装置(轨至轨)
系列 RailClamp®
零件状态 在售

PDF描述:Trans Voltage Suppressor Diode, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, 2 X 1 MM, 0.50 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SGP2010N5, 5 PIN

产品概述

RCLAMP7534P.TNT — SEMTECH 四路双向 5V TVS 二极管(SGP2010-5)

一、产品概述

RCLAMP7534P.TNT 是 SEMTECH 推出的四路双向瞬态电压抑制器(TVS),专为 5V 等低电压高速信号线的静电放电(ESD)以及雷击/浪涌冲击而设计。器件工作温度范围为 -40℃ 至 +85℃ (Tj),具有低结电容(Cj = 0.19 pF)、极低反向漏电流(Ir = 5 nA)和多项抗扰度认证(符合 IEC 61000-4-2、4-4、4-5),非常适合对信号完整性和抗干扰能力有较高要求的系统。

二、主要电气参数

  • 标称工作电压 Vrwm:5 V(用于 5V 信号总线)
  • 击穿电压 Vbr:6.5 V(典型)
  • 钳位电压 Vc:25 V(在规范的脉冲条件下典型值)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:4 A @ 8/20 µs
  • 反向电流 Ir:5 nA(保证漏电低、功耗小)
  • 结电容 Cj:0.19 pF(利于高速信号线的信号完整性)
  • 通道数:4 路,极性:双向,类型:ESD
  • 封装:SGP2010-5(小封装、占板面积小)

三、抗干扰与可靠性

该器件通过 IEC 61000-4-2(静电放电)、IEC 61000-4-4(脉冲群/快瞬变)和 IEC 61000-4-5(浪涌)等实验级别的设计与验证,能有效吸收瞬态能量并将过电压钳位在安全范围内,保护后端芯片免受损坏。对工业和消费类设备中常见的接触放电、空气放电及线路雷击等都有良好防护能力。

四、应用场景

  • USB/像素、SATA 等 5V 或低压高速差分/单端数据线的端口保护
  • 手机、平板、笔记本 I/O 接口与充电口的外部防护
  • 工业控制与消费电子设备的信号接口(如 GPIO、串口等)
  • 需要保持高信号完整性的高速链路(因低 Cj 特别适合)

五、选型与 PCB 布局建议

  • 若需保护高速差分对,优先选择低结电容器件以减小信号失真(本器件 Cj = 0.19 pF)。
  • 器件应尽量靠近受保护的连接器或信号源放置,走线短且回流路径低阻;接地采用完整的地平面并在器件附近留足地焊盘。
  • 对于需要更高能量吸收的场合,可并联或选用额定 Ipp 更高的 TVS,但需注意钳位电压与系统耐受性。
  • 工作温度范围为 -40℃ ~ +85℃,适合多数消费与工业级应用;若需更高温度等级(如汽车级),请确认相应规格或选用汽车级器件。

六、结论

RCLAMP7534P.TNT 以其四路双向保护、极低结电容、低漏电和通过多项 IEC 抗扰度认证的特性,是为 5V 类高速信号接口提供可靠瞬态保护的优选解决方案。小巧的 SGP2010-5 封装便于在空间受限的设计中使用,适合智能终端、外设接口与工业控制等多场景部署。若需更详细的电气曲线、测试条件或封装尺寸,请参考 SEMTECH 官方数据表以进行最终设计验证。

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