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MSP5.0A-M3/89A

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

品牌:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

型号:

MSP5.0A-M3/89A

编号:

L42098407

包装:

-

批号:

-

封装:

DO-219AD

描述:

TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO219AD

  • 产品参数

详细描述:9.2V 夹子 10.9A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-219AD(MicroSMP)


产品参数

产品属性 属性值
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) 9.2V
不同频率时电容 -
供应商器件封装 DO-219AD(MicroSMP)
制造商 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
功率 - 峰值脉冲 100W
包装 卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
单向通道 1
基本产品编号 MSP5.0
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 DO-219AD
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
应用 通用
电压 - 击穿(最小值) 6.4V
电压 - 反向断态(典型值) 5V
电流 - 峰值脉冲 (10、1000µs) 10.9A
电源线路保护 无
类型 齐纳
系列 TransZorb®, eSMP®
零件状态 在售

PDF描述:Surface Mount TRANSZORB Transient Voltage Suppressors 表面贴装的TransZorb瞬态电压抑制器

产品概述

MSP5.0A-M3/89A 产品概述

产品简介

MSP5.0A-M3/89A 是由威世(VISHAY)生产的一款高性能齐纳二极管,采用MicroSMP(DO-219AD)封装,专门设计用于电压钳位和过压保护等应用场景。这款齐纳二极管在5V反向断态电压下工作,具备优秀的电气特性和可靠性,适合广泛的电子设备和电路保护需求。

关键参数

  1. 反向断态电压 (V RWM): 该器件具有5V的反向断态电压,适用于需要低电压保护的应用场合。
  2. 击穿电压 (V BR @I T): 在特定测试电流下,该器件的击穿电压为6.4V,确保在意外电压条件下能迅速进入保护状态。
  3. 钳位电压 (V C @ Ipp): 在峰值脉冲电流下,该产品的钳位电压为10.9V,保护电路不受高电压冲击的损害。
  4. 峰值脉冲电流 (Ipp): MSP5.0A-M3/89A可承受的峰值脉冲电流为10.9A,这是在10/1000µs (毫秒)脉冲条件下的性能指标。
  5. 功率 - 峰值脉冲: 在脉冲条件下,该器件的最大功率可达100W,进一步增强了其在瞬态电压保护领域的适用性。
  6. 工作温度范围: 器件可以在-55°C到150°C的环境温度下稳定工作,适应多种工业和消费应用。

优势与应用

MSP5.0A-M3/89A 的设计使其在瞬态电压抑制(TVS)和过电压保护领域尤为突出。其小巧的MicroSMP封装适配于现代紧凑型电路设计,同时,表面贴装型设计更方便自动化生产与集成。

应用场景包括但不限于:

  • 电子消费品,如手机、平板电脑等。
  • 工业设备中的数据通信线路保护。
  • 汽车电子系统,确保敏感电子部分的安全性。
  • 电源管理电路,以防止电源浪涌和静电放电带来的损害。

总结

威世的MSP5.0A-M3/89A 齐纳二极管是一款具备全面保护能力的器件,其优越的电气性能和灵活的工作温度范围,使其在各种电子应用中都能提供可靠的保护解决方案。无论是对电源进行保护,还是确保电路设计的安全性,MSP5.0A-M3/89A都是理想的选择,为用户的设计与开发提供卓越支持。

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