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P4FL30A_R1_00001

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Panjit International Inc.

品牌:

Panjit International Inc.

型号:

P4FL30A_R1_00001

编号:

L42150192

包装:

-

批号:

-

封装:

SOD-123F

描述:

TVS DIODE 30VWM 48.4VC SOD123FL

  • 产品参数

详细描述:48.4V 夹子 8.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-123FL


产品参数

产品属性 属性值
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) 48.4V
不同频率时电容 -
供应商器件封装 SOD-123FL
制造商 Panjit International Inc.
功率 - 峰值脉冲 400W
包装 卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
单向通道 1
基本产品编号 P4FL30
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 SOD-123F
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
应用 通用
电压 - 击穿(最小值) 33.3V
电压 - 反向断态(典型值) 30V
电流 - 峰值脉冲 (10、1000µs) 8.3A
电源线路保护
类型 齐纳
系列 -
零件状态 在售

产品概述

P4FL30A_R1_00001 产品概述

一、产品简介

P4FL30A_R1_00001 是强茂(PANJIT)出品的一款单向瞬态电压抑制器(TVS),用于电路的静电放电(ESD)和浪涌保护。器件采用 SOD-123FL 小型封装,专为空间受限的消费电子、通讯与车载外围电路提供可靠的过压防护。

二、主要电气参数

  • 反向截止电压(Vrwm):30 V
  • 钳位电压(Vc):48.4 V(典型,Ipp 条件下)
  • 峰值脉冲电流(Ipp):8.3 A @ 10/1000 μs 波形
  • 峰值脉冲功率(Ppp):400 W @ 10/1000 μs
  • 击穿电压(Vbr):36.8 V
  • 反向漏电流(Ir):100 nA(常温、标称 Vrwm 条件)
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃

三、特点与优势

  • 高能量吸收能力:在 10/1000 μs 浪涌条件下具备 400 W 的瞬态功率处理能力,适合雷击及开关干扰情形。
  • 低漏电流:典型 100 nA 的漏电特性,适用于对静态功耗敏感的系统。
  • 小型封装:SOD-123FL 外形便于高速贴片生产,适合空间受限设计。
  • 宽温耐受:-55 ℃ 到 +150 ℃ 的工作温度覆盖工业级应用要求。

四、典型应用

  • USB、HDMI、以太网接口的浪涌与静电保护
  • 汽车电子外围模块(传感器线缆、控制单元)
  • 电源输入端和通信总线保护
  • 消费类电子(电视、机顶盒、路由器等)

五、使用建议与注意事项

  • 推荐在靠近被保护端口的线路处布局,以缩短保护器件到敏感节点的轨迹。
  • 在高能量冲击路径上,配合合适的串联阻抗或熔断器可提高系统整体可靠性。
  • 注意焊接温度曲线与 SOD-123FL 封装工艺要求,避免超温影响封装性能。
  • 设计时应兼顾钳位电压与被保护器件耐压,确保钳位后电压不超过器件极限。

P4FL30A_R1_00001 以其优良的瞬态吸收能力、低漏电和小尺寸封装,为各种需抗静电与抗浪涌的电路提供经济且可靠的保护解决方案。若需更详细的电气特性曲线和封装尺寸图,可参考强茂官方数据手册或联系供应商获取样片验证。

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