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PSOT12C
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PSOT12C

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Diotec Semiconductor

品牌:

Diotec Semiconductor

型号:

PSOT12C

编号:

L42180194

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述:

TVS DIODE 12VWM 25.9VC SOT233

数据手册
  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述：25.9V 夹子 21A（8/20µs） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）


产品参数

产品属性 属性值
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） 25.9V
不同频率时电容 90pF @ 1MHz
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
制造商 Diotec Semiconductor
功率 - 峰值脉冲 500W
包装 散装
双向通道 1
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
应用 通用
电压 - 击穿（最小值） 13.3V
电压 - 反向断态（典型值） 12V
电流 - 峰值脉冲 (10、1000µs) 21A（8、20µs）
电源线路保护 无
等级 -
类型 齐纳
系列 -
资质 -
零件状态 在售

PDF描述： 25.9V 夹子 21A（8/20µs） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

产品概述

PSOT12C 产品概述 — TVS/ESD 静电与浪涌保护（二极管）

一、产品简介

PSOT12C（品牌：TECH PUBLIC / 台舟电子）为面向12V工作电压系统的瞬态抑制二极管（TVS/ESD），采用SOT-23小封装。器件专为抑制静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）及雷击/浪涌瞬态而设计，在工业、通讯、汽车电子及消费类设备中提供可靠的线对地/线对线过压保护。

二、主要参数

  • 反向截止电压 Vrwm：12 V
  • 击穿电压 Vbr：15 V（典型）
  • 钳位电压 Vc：30 V（在 Ipp 条件下）
  • 峰值脉冲电流 Ipp：15 A（8/20 µs）
  • 峰值脉冲功率 Ppp：450 W（8/20 µs）
  • 反向电流 Ir：≤100 nA（常温）
  • 工作温度：-55 ℃ ~ +125 ℃
  • 结电容（Cj）：提供约 100 pF 与 40 pF 两种版本，适配不同速率信号
  • 防护等级：符合 IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）、IEC 61000-4-5（浪涌）

三、产品特性与优势

  • 小体积 SOT-23 封装，便于空间受限的 PCB 布局与自动贴装；
  • 低漏电流（≤100 nA），适合对静态功耗敏感的系统；
  • 高能量吸收能力（450 W@8/20µs），能有效钳位短时大幅度浪涌；
  • 两档结电容选择：100 pF 适用于电源或低速信号保护；40 pF 则更适合高速数据线路，降低信号失真；
  • 同时满足 ESD、EFT、浪涌三类工业级抗扰度标准，可靠性高。

四、典型应用场景

  • 12V 电源输入与供电轨保护；
  • 串行通讯接口保护（UART、CAN、LIN，选用低 Cj 型号更佳）；
  • 工业控制器、PLC、传感器模块的接口防护；
  • 消费电子与车载电子的局部浪涌与静电防护。

五、设计与使用建议

  • 推荐将 TVS 器件尽可能靠近被保护器件或外部接口焊盘放置，走线最短、最粗；
  • 对高速差分信号优先选用 40 pF 低电容版本以降低带宽影响；
  • 对大电流浪涌或需要更高能量吸收时，可并联合适的气体放电管或串联限流（熔断器/电阻）共同保护；
  • 注意焊盘与接地回路设计，确保有效将浪涌能量导入系统地。

六、封装与采购提示

  • 封装：SOT-23，适配常用贴片工艺；
  • 规格可选：根据应用选择 100 pF 或 40 pF 版本；
  • 订购或样品需求建议注明：型号（PSOT12C）、结电容规格、数量及封装要求，以便快速匹配库存。

如需针对此器件的典型能量曲线、钳位特性曲线或 PCB 布局参考样例，可提供更详细的电气与布局资料以支持设计验证。

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