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P4KE10A

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SMC Diode Solutions

品牌:

SMC Diode Solutions

型号:

P4KE10A

编号:

L42191447

包装:

-

批号:

-

封装:

DO-204AL,DO-41,轴向

描述:

TVS DIODE 8.1VWM 14.5VC DO41

  • 产品参数

详细描述:14.5V 夹子 29A Ipp TVS - 二极管 通孔 DO-41


产品参数

产品属性 属性值
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) 14.5V
不同频率时电容 -
供应商器件封装 DO-41
制造商 SMC Diode Solutions
功率 - 峰值脉冲 400W
包装 卷带(TR)
单向通道 1
基本产品编号 P4KE10
安装类型 通孔
封装、外壳 DO-204AL,DO-41,轴向
工作温度 -65°C ~ 175°C(TJ)
应用 通用
电压 - 击穿(最小值) 9.5V
电压 - 反向断态(典型值) 8.1V
电流 - 峰值脉冲 (10、1000µs) 29A
电源线路保护
类型 齐纳
系列 -
零件状态 在售

PDF描述: 14.5V 夹子 29A Ipp TVS - 二极管 通孔 DO-204AL(DO-41)

产品概述

CREATEK达晶微P4KE10A单向瞬态抑制二极管产品概述

一、产品定位与核心价值

CREATEK达晶微P4KE10A是一款单向瞬态抑制二极管(TVS),专为低压电路的瞬态过压防护设计,可有效抑制雷击浪涌、开关瞬态干扰、静电放电(ESD)等突发高压,避免MCU、传感器、通信芯片等敏感元件损坏。其采用小体积DO-41封装,兼具高可靠性与低成本优势,广泛适配消费电子、通信设备、工业控制等领域的高密度安装场景。

二、核心电性能参数详解

P4KE10A的参数精准匹配低压保护需求,关键指标如下:

  1. 工作电压与击穿特性:反向截止电压(Vrwm)为8.55V——即正常工作时可承受的最大反向直流电压,无击穿;击穿电压(Vbr)为9.5V,比Vrwm高约11%,符合TVS“Vbr略高于Vrwm”的设计逻辑,确保静态下无漏电流干扰。
  2. 漏电流与钳位能力:反向漏电流(Ir)仅10μA(@Vrwm),远低于影响电路的阈值,不额外消耗功耗;峰值脉冲下钳位电压(Vc)为14.5V——遭遇瞬态过压时,TVS快速击穿并将电压钳位在14.5V以内,保护后级器件。
  3. 脉冲耐受能力:支持10/1000μs标准脉冲波形,峰值脉冲电流(Ipp)达28.3A,峰值脉冲功率(Ppp)为400W,可承受中等强度的瞬态能量冲击,满足多数低压电路的浪涌防护需求。

三、封装与可靠性设计

P4KE10A采用DO-204AL(DO-41)轴向引线封装,具备以下优势:

  1. 小体积高密度:封装尺寸约φ2.7mm×5.2mm,重量轻,适配插件式PCB布局,可在狭小空间内实现过压保护;
  2. 高可靠性工艺:采用玻璃钝化芯片技术,耐机械冲击与温度循环,工作温度范围覆盖-55℃至+150℃,符合工业级可靠性要求;
  3. 环保合规:符合RoHS与REACH标准,无铅无卤,适配全球市场的环保要求。

四、典型应用场景与电路示例

P4KE10A的低压保护特性使其适配多类场景,典型应用如下:

  1. 直流电源输入保护:在5V/8V低压电源输入端,将P4KE10A反向并联于电源正极与地之间(注意极性),当电源出现浪涌(如开关切换产生的过压)时,TVS快速击穿钳位,保护后级MCU、传感器等元件;
  2. 通信接口防护:用于USB 2.0/3.0、RS485等通信接口的电源或数据线防护,抑制静电放电与传输线浪涌,避免接口芯片损坏;
  3. 工业传感器保护:工业温度、压力传感器的信号端并联P4KE10A,防止现场电磁干扰或浪涌对敏感信号的破坏,提升传感器稳定性。

五、选型与使用注意事项

为确保保护效果,需注意以下要点:

  1. 参数匹配:Vrwm需大于电路正常工作电压(如8V电路可选P4KE10A),钳位电压(Vc)需小于后级器件的最大耐压(如后级芯片耐压15V,Vc14.5V符合要求);
  2. 极性与安装:单向TVS需注意安装极性(反向接电源正极),焊接时引线长度不宜超过5mm(减少寄生电感,提升响应速度);
  3. 功率冗余:若脉冲能量超过单个器件的Ppp,可并联多个P4KE10A(需确保参数一致性),实现功率扩容;
  4. 环境适配:避免在高温、高湿(>85%RH)环境下长期工作,确保器件性能稳定。

综上,CREATEK达晶微P4KE10A凭借精准的参数设计、小体积封装与高可靠性,成为低压电路瞬态过压防护的高性价比选择。

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