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MP122

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CTS-Frequency Controls

品牌:

CTS-Frequency Controls

型号:

MP122

编号:

L42612172

包装:

-

批号:

-

封装:

HC-49/U

描述:

CRYSTAL 12.2880MHZ 32PF TH

  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

详细描述:12.288 MHz ±30ppm 晶体 32pF HC-49/U


产品参数

产品属性 属性值
ESR(等效串联电阻) 30 Ohms
制造商 CTS-Frequency Controls
包装 散装
大小 、 尺寸 0.427" 长 x 0.150" 宽(10.85mm x 3.80mm)
安装类型 通孔
封装、外壳 HC-49、U
工作模式 基谐
工作温度 -20°C ~ 70°C
等级 -
类型 MHz 晶体
系列 MP
负载电容 32pF
零件状态 在售
频率 12.288 MHz
频率容差 ±30ppm
频率稳定性 ±50ppm
高度 - 安装(最大值) 0.530"(13.46mm)

PDF描述: 12.288 MHz ±30ppm 晶体 32pF HC-49/U

MP122 产品概述

一、产品简介

MP122 是 CTS(西迪斯)品牌的一款 12.2880 MHz 压电晶体(CRYSTAL),封装为 HC-49/U 通孔式(TH)。该型号专为需要稳定时钟源的数字系统设计,频率为 12.288 MHz,是音频与数字信号处理常见的基频之一(例如 48 kHz 的整数倍时钟)。器件在常温下具有良好的初始频差和整体频率稳定性,适合在商用或工业环境下用于时钟、采样和频率基准等应用。

二、主要技术规格

  • 标称频率:12.2880 MHz
  • 常温频差(Initial Tolerance):±30 ppm
  • 负载电容(Load Capacitance, CL):32 pF
  • 频率稳定度(包温及老化等综合):±50 ppm
  • 等效串联电阻(ESR):30 Ω
  • 工作温度范围:-20 ℃ ~ +70 ℃
  • 封装:HC-49/U(通孔)
  • 封装形式:TH(Through-Hole)
  • 品牌:CTS(西迪斯)

三、特性要点与性能影响

  • 频率精度与稳定性:常温初始偏差 ±30 ppm,结合整体稳定度 ±50 ppm,可在多数音频系统、通信与控制设备中提供可靠的时钟参考。对于对相位噪声或抖动要求极高的应用,应评估系统级抖动预算。
  • 负载电容 32 pF:为晶体所要求的并联负载电容值,电路中外接电容需按此目标值调整以获得标称频率。
  • ESR 30 Ω:较低的等效串联电阻有利于减小起振时间并提升驱动效率,但过低 ESR 与高驱动电平可能引起晶体过驱动而加速老化;应控制驱动电平在制造商建议范围内。
  • 工作温度范围:-20 ~ +70 ℃,适合常温/商用级应用,但对低温或高温苛刻环境需选用扩展温度等级件。

四、典型应用场景

  • 数字音频设备(ADC/DAC、音频 CODEC、采样频率基准),12.288 MHz 是 48 kHz 系列采样的便捷倍频来源。
  • 音视频处理与 DSP 时钟源。
  • 通信设备与基准时钟(如某些串口收发或协议定时)。
  • 嵌入式系统与微控制器外部晶体(需确认 MCU 的振荡器规格支持 12.288 MHz)。
  • 工业控制或测量设备的参考频率。

五、选型与电路注意事项

  • 负载电容匹配:晶体给出的 CL = 32 pF,若使用两只相等的旁路电容 C1 = C2,则实际等效负载约为 Ceq = C1/2 + Cstray(Cstray 为布线和封装寄生电容,通常取 2–5 pF)。因此为达到 CL=32 pF,理论上每侧电容值应为 C ≈ 2*(CL - Cstray)。举例:若 Cstray ≈ 5 pF,则 C ≈ 2*(32-5) = 54 pF,常用标准值可选择 56 pF。请根据实际 PCB 布线寄生电容调整并在实验板上验证。
  • 振荡器驱动:确认目标 MCU 或振荡器电路的增益与负载能力能驱动 ESR 为 30 Ω 的晶体;某些内置振荡器对负载电容或 ESR 有限制,必要时检查 MCU 数据手册。
  • 起振时间与驱动电平:较高 ESR 会延长起振时间;同时避免过高驱动功率以减少晶体老化和频率漂移。遵循 CTS 数据手册中的最大驱动电平建议。
  • 温度与频率偏移:若系统在宽温度范围工作,应评估 ±50 ppm 的频率稳定度是否满足总体精度要求,并考虑温度补偿或外部控制方案(如 TCXO)以获得更高稳定性。

六、封装与焊接建议

  • HC-49/U 通孔封装机械强度好,适合手工装配与波峰焊工艺,但仍建议遵循器件制造商的焊接温度曲线与时间限制。
  • 焊接时避免过度加热或对晶体主体施加机械应力(弯曲或拉拽引脚可能引起频率漂移或损坏)。
  • 储存与清洗:避免长期在高湿高温环境中储存。清洗时选择对晶体安全的工艺,确保清洗剂不会进入封装缝隙。

七、推荐使用建议与注意事项

  • 开发阶段在目标 PCB 上验证实际频率与起振性能,并根据实际布线寄生电容微调外接电容值。
  • 在噪声敏感应用中,应将晶体和微弱信号路径隔离,合理走地并采用去耦措施以降低干扰。
  • 若应用对温漂、相位噪声或长期稳定性有更高要求,考虑使用温度补偿晶振(TCXO)或恒温晶体振荡器(OCXO)替代。
  • 订购时确认 CTS 的完整器件型号与批次,索取并参照 CTS 的详细规格书以获取焊接、驱动与环境兼容性等细节参数。

如需我提供负载电容具体选择计算表、典型振荡器电路图或替代器件建议(例如表面贴装封装或更高稳定性型号),可以告知您的具体应用场景与电路平台(MCU 型号、PCB 布线情况等),我会基于这些信息给出更精确的设计建议。

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