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IRLR024NTRPBF
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IRLR024NTRPBF

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Infineon Technologies

品牌:

Infineon Technologies

型号:

IRLR024NTRPBF

编号:

L44044270

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 55V
连续漏极电流(Id) 17A
导通电阻(RDS(on)) 65mΩ@10V，10A
耗散功率(Pd) 45W
阈值电压(Vgs(th)) 1V
栅极电荷量(Qg) 15nC
输入电容(Ciss) 480pF
反向传输电容(Crss) 61pF
工作温度 -55℃~+175℃

PDF描述：Advanced Process Technology 先进的工艺技术

产品概述

IRLR024NTRPBF 产品概述

1. 产品基本信息

IRLR024NTRPBF 是来自英飞凌（Infineon）的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具备优良的电气特性和绝佳的热稳定性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动以及电机控制等领域。该器件采用TO-252-3（D-Pak）封装，便于表面贴装安装，适合高密度电路设计。

2. 主要电气参数

  • 漏源电压（Vdss）：最大 55V，适用于多种电源应用，特别是需要承受高电压的场合。
  • 连续漏极电流（Id）：最大 17A @ 25°C，提供强大的承载能力，满足高电流需求的应用。
  • 导通电阻（Rds(on)）：典型值为 65毫欧 @ 10A，10V，低导通电阻意味着在导通状态下功耗低，有助于提高整体能效。
  • 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 2V @ 250µA，确保快速开关响应，使其在低电压驱动下也能稳定工作。

3. 栅极电荷和输入电容

  • 栅极电荷（Qg）：最大值为 15nC @ 5V，较小的栅极电荷特性有助于提高开关速度，降低开关损耗，适合高频率应用。
  • 输入电容（Ciss）：最大值为 480pF @ 25V，较小的输入电容提高了开关响应速率，适合大多数PWM控制的应用场景。

4. 功率和热特性

  • 功率耗散（Pd max）：最大可达 45W（Tc），该器件的高功率耗散能力适合需要高负载的电路设计，以确保器件在工作时的稳定性。
  • 工作温度范围：-55°C ~ 175°C，广阔的工作温度范围使得该MOSFET适合于极端环境条件下的应用，可以在严苛的气候条件下稳定工作。

5. 应用领域

IRLR024NTRPBF 因其优异的电气特性和热性能，适合于以下多个应用场合：

  • 电源管理：包括电源转换及分配模块，为DC-DC转换器提供开关组件。
  • 马达驱动：能够高效控制直流电机或步进电机的启动、停止及调速。
  • 电动工具：为电动工具提供强大的驱动能力，确保其在高功率下的稳定工作。
  • 电池管理系统：在电池保护电路中用于隔离与连接，提高电池使用的安全性与效率。

6. 总结

IRLR024NTRPBF 是一款功能强大的N沟道MOSFET，具有优良的热管理性能与电气效率，适合各种高功率和高电压的应用需求。无论是用于电源管理系统、马达控制，还是电池管理方案，该器件都能提供卓越的性能和可靠性，使设计工程师能够轻松开发出具有高效能和可靠性的产品。通过采用IRLR024NTRPBF，工程师不仅能提升产品性能，还能有效降低整体系统的能耗，从而为用户带来更大的经济效益。

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