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IPD60R600P7SAUMA1
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IPD60R600P7SAUMA1

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Infineon Technologies

品牌:

Infineon Technologies

型号:

IPD60R600P7SAUMA1

编号:

L44044293

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

描述:

-

  • 产品参数

PDF描述：Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3/2

产品概述

产品概述：Infineon IPD60R600P7SAUMA1 N沟道MOSFET

一、产品简介

Infineon 的 IPD60R600P7SAUMA1 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为高级电力应用而设计。该器件具有高达 600V 的漏源电压 (Vdss)，最大连续漏极电流为 6A，适用于各种对功率效率和热管理有严苛要求的电子电路。在广泛的工作温度范围内（-40°C 至 150°C），IPD60R600P7SAUMA1 保证稳定的性能，非常适合在高温恶劣环境中的应用。

二、关键参数

  1. 漏源电压 (Vdss): 该产品的漏源电压高达 600V，这使其适合用于高压应用，如电源转换器、高压驱动电路及工业控制系统。

  2. 连续漏极电流 (Id): 在标准条件下，该器件的最大连续漏极电流为 6A，适合需高电流驱动的场合。

  3. 导通电阻 (Rds On): 在 10V 驱动电压下，对于 1.7A 的电流，导通电阻最大值为 600 毫欧，这有助于降低导通损耗，提高电源效率。

  4. 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 该器件的最大栅极阈值电压为 4V（@80μA），适合用于低电压驱动电路，简化电路设计并提高可靠性。

  5. 栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 9nC（@10V），这一特性表明其在快速开关应用中表现优异，能够有效减少开关损耗。

  6. 功率耗散与热管理: 最大功率耗散能力为 30W（在 Tc 情况下），有效的热管理是该器件的一大亮点，它支持设计时降低散热问题的复杂性。

  7. 输入电容 (Ciss): 输入电容最大为 363pF（@400V），在设计电路时，能够实现出色的高频性能和开关速度。

三、封装与安装

IPD60R600P7SAUMA1 采用了 TO-252-3（DPAK）封装，安装方式为表面贴装型。这使得该 MOSFET 可便捷地集成到紧凑的电路板设计中，更加方便自动化生产和焊接。DPAK封装具有较低的热阻，帮助器件在高功率应用中保持较低的工作温度。

四、应用场合

Infineon IPD60R600P7SAUMA1 适用于多种高性能电力应用场景，包括但不限于：

  • 电源供应器（AC-DC、DC-DC 转换器）
  • 电动机驱动与控制
  • 照明控制（LED 驱动电路）
  • 工业自动化及控制设备
  • 可再生能源系统（如太阳能逆变器）

五、总结

Infineon 的 IPD60R600P7SAUMA1 N 通道 MOSFET 通过其高漏源电压、低导通电阻及优秀的开关性能，在电力电子领域展示了其广泛的适用性和卓越的性能。凭借先进的半导体技术和可靠的工作特性，工程师可以利用此器件设计高效的电源解决方案，满足现代电子产品对能效和性能的需求。无论是在家用电器还是高端工业设备，IPD60R600P7SAUMA1 都能成为设计人员的最佳选择。

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