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IRLR3410TRPBF
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IRLR3410TRPBF

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Infineon Technologies

品牌:

Infineon Technologies

型号:

IRLR3410TRPBF

编号:

L44044431

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 17A
导通电阻(RDS(on)) 105mΩ@10V，10A
耗散功率(Pd) 79W
阈值电压(Vgs(th)) 2V
栅极电荷量(Qg) 34nC
输入电容(Ciss) 800pF
反向传输电容(Crss) -
工作温度 -55℃~+175℃

PDF描述：Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

产品概述

产品概述：IRLR3410TRPBF N沟道MOSFET

概述

IRLR3410TRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET，专为高效率的电源管理与开关应用而设计。该器件由英飞凌（Infineon）制造，采用表面贴装型（SMD）封装，型号为TO-252-3（DPAK）。随着电子设备对电源转换效率的不断提高，这款MOSFET因其优异的性能被广泛应用于各种领域，包括电源适配器、电机驱动、开关电源和电池管理系统等。

关键特性

  1. 高漏源电压（Vdss）：该MOSFET的漏源电压可高达100V，能够轻松应对高压电源应用，适合在高电压场合下的稳定工作。

  2. 高持续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下，IRLR3410可以承受高达17A的连续漏极电流，满足球源和负载需求。

  3. 低导通电阻（Rds On）：在10V的Vgs驱动电压条件下，MOSFET的最大导通电阻可低至105毫欧。这确保了在开关操作时极低的功率损耗，从而降低了设备的整体热量生成，提高了系统的效率。

  4. 宽栅极电压范围（Vgs）：IRLR3410的栅极驱动电压最大可达到±16V，适应多种控制电路的需求，增强了设计的灵活性。

  5. 优异的输入电容：在25V下，该MOSFET的输入电容（Ciss）最大为800pF，确保了快速开关响应，使其在高频应用中表现出色。

  6. 高功率耗散：IRLR3410的最大功率耗散能力为79W，能够在高功率应用环境中稳定运行，充分保证了安全性。

  7. 广泛的工作温度范围：器件的工作温度范围为-55°C至175°C，适合在极端环境下使用。无论是在严寒或高温条件下，该MOSFET都能提供可靠的性能。

  8. 小型封装：采用TO-252-3（DPAK）封装，IRLR3410具有良好的散热能力，适合各种空间受限的应用。

应用领域

IRLR3410TRPBF的优异特性使其在多个高效能应用中成为理想选择：

  • 电源转换器：可用于高效DC-DC转换器和AC-DC电源适配器，提供更高的能效和更少的热损失。
  • 电动机驱动器：在电机控制应用中，能够有效驱动直流电动机与步进电机，达到快速响应与高效率的要求。
  • 电池管理系统：在电池充电与放电过程中，IRLR3410保证了输出电流和电压的可靠性及安全性。
  • 开关电源：能够帮助设计出更小、更轻的开关电源，适应不断减少体积与重量的市场需求。

结论

IRLR3410TRPBF是一款多用途、性能卓越的N沟道MOSFET，专为满足现代电子设备对高效能和可靠性的需求而设计。其低导通电阻、高功率容量和广泛的工作温度范围使其成为理想的选择，适合各类需要高电压和高电流的应用。选择IRLR3410TRPBF，能够显著提高电源系统的整体性能，满足不断进步的技术需求。

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