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STN1HNK60

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¥ 9.205751

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STMicroelectronics

品牌:

STMicroelectronics

型号:

STN1HNK60

编号:

L44044559

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-261-4,TO-261AA

描述:

-

  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id) 400mA
导通电阻(RDS(on)) 8.5Ω@10V,0.5A
耗散功率(Pd) 3.3W
阈值电压(Vgs(th)) 3.7V
栅极电荷量(Qg) 10nC@10V
输入电容(Ciss) 156pF@25V
反向传输电容(Crss) 3.8pF@25V
工作温度 -55℃~+150℃

PDF描述:N-CHANNEL 600V - 8-ohm - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH-TM MOSFET N沟道600V - 8欧姆 - 1A DPAK / TO- 92 / IPAK / SOT- 223超网-TM MOSFET

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