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IRF9540NPBF

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1+

¥ 17.105838

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50+

¥ 8.222372

¥ 411.1186
100+

¥ 7.355510

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500+

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Infineon Technologies

品牌:

Infineon Technologies

型号:

IRF9540NPBF

编号:

L44044670

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-220-3

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 23A
导通电阻(RDS(on)) 117mΩ@10V,11A
耗散功率(Pd) 140W
阈值电压(Vgs(th)) 2V
栅极电荷量(Qg) 97nC
输入电容(Ciss) 1.3nF
反向传输电容(Crss) 240pF@25V
工作温度 -55℃~+175℃

PDF描述:HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET

产品概述

IRF9540NPBF 产品概述

概述

IRF9540NPBF 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,设计用于需要高电压和高电流应用的场合。作为 Infineon(英飞凌)品牌的一员,此元器件采用 TO-220 封装,带来卓越的散热性能和易于集成的特性,适合广泛的电子应用,包括电源管理、马达驱动以及开关电源等。

基础参数

IRF9540NPBF 的主要电气特性包括:

  • 漏源电压(Vdss): 该 MOSFET 的最大漏源电压为 100V,适用于多种高压应用,确保在高电压环境下稳定工作。
  • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 温度下,该器件可承载的最大连续漏式电流为 23A。这使得 IRF9540NPBF 适合于高功率系统,如电机控制电路。
  • 导通电阻(Rds(on)): 在 Vgs 为 10V 时,导通电阻的最大值为 117 毫欧(在 11A 时测得),可有效地降低导通损耗,提高整体效率。
  • 栅极-源极阈值电压(Vgs(th)): 最大 Vgs(th) 为 4V @ 250µA,确保器件在适当的驱动电压下切换更加高效。
  • 输入电容(Ciss): 该 MOSFET 的最大输入电容为 1300pF @ 25V,这对高频开关应用尤其重要,能减小开关损耗,提高开关速度。

电气特性与应用场景

IRF9540NPBF 的最大功率耗散能力为 140W,在正常工作条件下(Tc)保证了其安全性和可靠性。此外,其工作温度范围广泛,从 -55°C 至 150°C,使得这款 MOSFET 在严酷环境中同样可以稳定工作,表现出优异的热稳定性。

作为 P 通道 MOSFET,IRF9540NPBF 在电源开关、反向极性保护电路及其他正向电流的场合中发挥关键作用。在反向电压存在的情况下,它能有效地阻挡电流,有助于延长其他组件的寿命,减少故障率。

封装与安装

IRF9540NPBF 采用 TO-220 封装,具有良好的热性能和易于安装的特点,便于在板上排布。该封装提供了较大的表面积,以增强散热功能,适用于多种散热方法,如散热器或风冷方式,让器件能在高功率下可靠工作。

结论

总之,IRF9540NPBF 是一款功能强大且可靠的 P 通道 MOSFET,能在高压和高电流环境中提供卓越的性能。无论是在电源转换、马达控制还是电池管理系统中,它都能发挥重要作用,帮助设计人员构建高效且稳定的电子系统。借助其优良的电气特性、宽广的工作温度范围以及适于散热的封装,IRF9540NPBF 是追求高性能电路设计者的理想选择。

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