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FDC3612

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onsemi

品牌:

onsemi

型号:

FDC3612

编号:

L44046369

包装:

-

批号:

-

封装:

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

PDF描述:100V N-Channel PowerTrench MOSFET 100V N沟道PowerTrench MOSFET的

FDC3612-HF N沟道场效应管产品概述

一、产品基本定位

FDC3612-HF是KEXIN(科信)半导体推出的一款小功率N沟道增强型MOSFET,针对低功耗、紧凑空间的电子设备设计,兼顾导通损耗控制与开关效率,适配多种消费电子、便携设备及小型工业/汽车辅助电路场景。其采用SOT-23-6小型封装,单管N沟道结构,核心参数覆盖100V电压等级与2.6A连续电流能力,是低功率电源管理、负载开关等应用的高性价比选择。

二、核心电气参数详解

作为N沟道MOSFET的关键性能指标,FDC3612-HF的参数设计平衡了导通损耗与开关特性:

  1. 电压电流规格:漏源击穿电压((V_{DSS}))达100V,满足多数低压直流电路的安全裕量;连续漏极电流((I_D))为2.6A,可稳定驱动中小功率负载,无额外降额压力。
  2. 导通电阻特性:导通电阻((R_{DS(on)}))为125mΩ(测试条件:(V_{GS}=10V),(I_D=2.6A)),低导通电阻直接降低导通损耗,减少设备发热,提升电源转换效率。
  3. 栅极与电容特性:栅极总电荷量((Q_g))为20nC((V_{GS}=10V)时),低(Q_g)值使开关速度更快,适合高频小信号开关场景;输入电容((C_{iss}=660pF@V_{DS}=50V))与反向传输电容((C_{rss}=40pF@V_{DS}=50V))控制在合理范围,减少开关噪声与米勒效应影响。
  4. 功耗与温度适应性:最大耗散功率((P_d))为1.6W,满足小功率应用的散热需求;工作温度范围覆盖-55℃至+150℃,可适应极端环境(如汽车低温启动、工业现场高低温变化)。

三、封装与品牌保障

  • 封装优势:采用SOT-23-6小型表面贴装封装,尺寸紧凑(约2.9×1.6×1.1mm),适合高密度PCB布局,便于便携设备、小型模块的集成,降低整机体积。
  • 品牌可靠性:KEXIN(科信)作为国内专注功率半导体的厂商,产品经过严格的可靠性测试(如温度循环、湿度老化、电应力测试),供货稳定,性价比突出,广泛应用于国内电子制造领域。

四、典型应用场景

FDC3612-HF的参数与封装特性决定了其在以下场景的适配性:

  1. 便携电子设备:智能手机、平板、智能穿戴(如智能手表)的电源管理单元(PMU),实现电池充放电控制、负载通断。
  2. 低功耗负载开关:电池供电设备(如蓝牙耳机、遥控器)的电源开关,低导通损耗延长电池续航时间。
  3. 小型DC-DC转换器:升压(Boost)或降压(Buck)电路的开关管,适配输出电流≤2.6A的场景(如5V转3.3V、3.7V转5V)。
  4. 汽车辅助电子:车内小功率传感器电路(如温度传感器、压力传感器)的电源控制,宽温范围适应汽车环境温度变化。
  5. 消费类电子配件:移动电源、充电器的辅助开关,或智能家居设备(如智能灯泡、传感器节点)的电源管理。

五、性能优势总结

FDC3612-HF的核心优势可归纳为:

  • 低损耗:125mΩ低导通电阻,导通时功耗小,设备发热低;
  • 宽温可靠:-55℃~+150℃工作范围,适应极端环境;
  • 高效开关:20nC低栅极电荷,开关速度快,效率高;
  • 紧凑集成:SOT-23-6小封装,适合高密度PCB设计;
  • 安全裕量:100V漏源电压、2.6A连续电流,满足多数低功率应用的安全需求。

该产品可作为同类小功率MOSFET的替代选型,尤其适合对体积、效率有要求的便携与消费电子领域。

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