请登录

免费注册

首页购物车我的订单会员中心

联系客服

823711899

点击QQ咨询

400-618-9990

拨打电话咨询

购物车 0

上传BOM

产品分类

找货询价

QQ咨询

会员中心

购物车

技术支持

售后咨询

图片源于供应商或网络,实物可能存在差异,请以实物为准

IRFZ34NPBF

数量

单价

总价

¥ 11.486529

50+

¥ 5.351566

¥ 267.5783

100+

¥ 4.754101

¥ 475.4101

500+

¥ 3.704282

¥ 1852.141

1000+

¥ 3.366131

¥ 3366.131

2000+

¥ 3.081695

¥ 6163.39

5000+

¥ 2.773790

¥ 13868.95

10000+

¥ 2.583560

¥ 25835.6

显示更多 ▼

购买数量

总价金额：￥ 11.486529

加入购物车

立即购买

样品申购

PDF描述：HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET

产品概述

产品概述：IRFZ34NPBF

基础信息

IRFZ34NPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，广泛应用于开关电源、马达驱动和大功率电子设备等场景。该器件由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产，具有出色的电气性能和可靠性，适合高温和严苛环境下的操作。

关键参数

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
漏源电压（Vdss）：55V
连续漏电流（Id，25°C时）：29A（在晶体管外壳温度 Tc 下）
驱动电压：最大 Rds On，最小 Rds On 为 10V
导通电阻（Rds(on)）：在 Id 16A、Vgs 10V 下，电阻最大值为 40 毫欧。
阈值电压（Vgs(th) 最大值）：在 Id 250µA 时，最大值为 4V。
栅极电荷（Qg）：在驱动电压 10V 时，最大值为 34nC。
栅极-源极电压（Vgs 最大值）：±20V
输入电容（Ciss 最大值）：在 Vds 25V 时，最大值为 700pF。
功率耗散（最大值）：68W (在晶体管外壳温度 Tc 下)
工作温度范围：-55°C 到 175°C（结温 TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-220AB（TO-220-3形状）

设计优势

IRFZ34NPBF 采用高级 MOSFET 技术，优化了导通电阻和开关特性，确保了高效能和优秀的热管理能力。其 40 毫欧的最大导通电阻使其在高电流下运行时产生的热量最低，从而降低了散热要求，节省了系统成本与空间。IRFZ34NPBF 的最大功率耗散能力达到 68W，使其能够在高功率应用中保持卓越的性能。

应用场景

由于其高电流承载能力和低导通损耗，IRFZ34NPBF 广泛应用于：

开关电源：包括 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器。
马达控制：用于各类电机驱动设计，满足工业自动化与机器人技术的需求。
逆变器：在可再生能源应用中，如太阳能逆变器、风能发电等。
电池管理系统：在电动汽车和储能系统中提供高效的电流控制。

可靠性与适用性

IRFZ34NPBF 的工作温度范围从 -55°C 到 175°C，这使其特别适合高温和极端环境中的应用，确保在苛刻条件下的可靠操作。此外，TO-220AB 封装设计满足了通孔安装的需要，使其与多种PCB设计兼容，方便设计集成。

结语

综上所述，IRFZ34NPBF 是一款高效能、功能强大的 N 通道 MOSFET，适合各种要求严格的电力电子应用。凭借其卓越的电气特性、广泛的应用范围及适应性，它为高性能电源设计提供了可靠的解决方案，是工程师设计中值得选择的元器件之一。选择 IRFZ34NPBF，您将获得高效能与可靠性兼备的优质产品，满足现代电子设计的各项挑战。

类似型号

IRFZ34NS

品牌：

Infineon Technologies

封装：