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IRF1404PBF

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Infineon Technologies

品牌:

Infineon Technologies

型号:

IRF1404PBF

编号:

L44047727

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-220-3

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 202A
导通电阻(RDS(on)) 4mΩ@10V,121A
耗散功率(Pd) 333W
阈值电压(Vgs(th)) 4V
栅极电荷量(Qg) 196nC@10V
输入电容(Ciss) 5.669nF
反向传输电容(Crss) 223pF
工作温度 -55℃~+175℃

PDF描述:HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET

产品概述

产品概述:IRF1404PBF MOSFET

基本信息

IRF1404PBF是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),具备优越的电气性能和广泛的应用场景。该器件专为高电流和高电压应用而设计,适合在苛刻的工作条件下使用。其基础参数包括漏源电压(Vdss)为40V、连续漏极电流(Id)可达202A、最大功率耗散333W,工作温度范围从-55°C到175°C。

主要特点

  1. 高电流承载能力:IRF1404PBF能够承受高达202A的连续漏极电流,这使其非常适合于需要大电流传输的应用场合,如电机驱动、电源管理和工业控制等。

  2. 低导通电阻:该MOSFET在10V栅源电压下,121A时的漏源导通电阻仅为4mΩ,这显著降低了功耗,有利于提升系统整体效率并减少热量生成。

  3. 卓越的功率散热能力:最大功率耗散可达到333W(在Tc=25°C),使其能够在要求极高的负载条件下正常工作,特别是在需要散热处理的高功率应用环境中。

  4. 宽工作温度范围:其工作温度范围从-55°C到175°C,确保该器件在极端环境条件下的稳定性和可靠性,适合航空航天、汽车电子及工业控制等领域。

  5. 优化的门极特性:栅源极阈值电压为4V(@ 250µA),最大栅电荷(Qg)为196nC(@10V),这些电气特性使得IRF1404PBF可以通过适当的驱动电路轻松实现高频开关操作,适合于高效率的开关电源设计。

  6. 良好的输入电容特性:输入电容(Ciss)在25V下为5669pF,保证了其在高频应用中的良好特性,能够更好地应对信号的快速变化。

  7. 环境友好与封装类型:IRF1404PBF采用TO-220AB封装,适合通孔设计,便于散热和安装,同时其环保特性符合RoHS标准,适合现代电子设备的需求。

应用场景

IRF1404PBF的多功能性使其广泛应用于各类电力电子设备中。常见应用包括:

  • 电机控制:可用于直流电机和步进电机的驱动,尤其在需要高电流和快速开关的场合。

  • 开关电源:在各种DC-DC转换器及AC-DC电源中,承担开关元件的角色,提高能量转换效率。

  • 电池管理系统:在充放电过程中,作为切换组件,提高系统的工作效率和安全性。

  • 汽车电子:广泛应用于电动汽车和混合动力汽车的电能管理系统中,以实现高效能量转换和控制。

结论

IRF1404PBF作为一款具有卓越性能和灵活应用的MOSFET,凭借其高电流承载能力、低导通电阻和广泛的适用温度范围,成为电力电子和自动化控制领域不可或缺的关键元件。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子中,该器件都展现出良好的性能与可靠性,为现代电子产品的设计与开发提供了强有力的支持。

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